SEMI：SMIC、XMC領(lǐng)跑中國晶圓代工產(chǎn)能投資

　　SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì ))的全球晶圓廠(chǎng)預測(World Fab Forecast)報告指出，2015 年晶圓代工業(yè)整體產(chǎn)能已超越存儲器，成為半導體產(chǎn)業(yè)當中最大的部門(mén)，并且在未來(lái)幾年可望持續領(lǐng)先。預料晶圓代工產(chǎn)能每年將成長(cháng) 5%，超越業(yè)界整體表現，晶圓代工產(chǎn)能到 2017 年底預計將達到每月 600 萬(wàn)片(8 吋約當晶圓)。

　　臺灣的晶圓代工產(chǎn)能居全球之冠，其中 12 吋的產(chǎn)能占全球晶圓代工產(chǎn)能比重 55% 以上。臺積電與聯(lián)電是臺灣晶圓代工產(chǎn)能的兩大主要推手。臺積電十二廠(chǎng)第七期、十五廠(chǎng)第五及第六期正積極準備迎接 10 納米以下制程產(chǎn)能。聯(lián)電則持續擴充 28 納米產(chǎn)能，十二 A 廠(chǎng)第五期也準備投入 14 納米制程。

　　另一方面，晶圓代工產(chǎn)能全球第二的中國則是成長(cháng)最快的市場(chǎng)。2015 年中國整體晶圓代工產(chǎn)能為每月 95 萬(wàn)片，預計到了 2017 年底將增至每月 120 萬(wàn)片，占全球晶圓代工產(chǎn)能將近 20%。

　　中國晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC)目前正致力提升北京 B1 廠(chǎng)和上海八廠(chǎng)(兩者均為 12 吋廠(chǎng))等既有廠(chǎng)房的產(chǎn)能。同時(shí)該公司也正在提升新成立的北京 B2 廠(chǎng)(12 吋)與深圳十五廠(chǎng)(8 吋)產(chǎn)能。中芯的擴充計劃同時(shí)包含了先進(jìn)的 28 納米/40 納米產(chǎn)能，以及技術(shù)成熟的 8 吋晶圓制程。其他擴大產(chǎn)能的業(yè)者還包括武漢新芯(XMC)，旗下 A 廠(chǎng)產(chǎn)能將持續投入 NOR 快閃存儲器代工業(yè)務(wù);上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠(chǎng)，預計明年動(dòng)工，2018 下半年起可望開(kāi)始投注產(chǎn)能。

　　未來(lái)幾年，臺灣的晶圓代工業(yè)者也將對中國晶圓代工產(chǎn)能有所貢獻。今年稍晚聯(lián)電位于廈門(mén)的 12X 廠(chǎng)將開(kāi)始投產(chǎn)，2017 年有力晶合肥廠(chǎng)，臺積電南京廠(chǎng)則將在 2018 年上線(xiàn)。這三處廠(chǎng)房全面投產(chǎn)后，將帶來(lái)每月至少 11 萬(wàn)片(12 吋)晶圓的產(chǎn)能。

　　除了增加產(chǎn)能，先進(jìn)制程的技術(shù)競賽也特別激烈。臺積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在 10 納米以下技術(shù)節點(diǎn)取得領(lǐng)先地位。技術(shù)的演進(jìn)將帶動(dòng)晶圓代工業(yè)者在未來(lái)幾年內持續投資，其中又以臺灣與中國為最。

　　SEMI 臺灣區總裁曹世綸表示，“2016 年全球半導體產(chǎn)業(yè)穩定成長(cháng)，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)長(cháng)成長(cháng)速度更是優(yōu)于全球，尤其晶圓代工廠(chǎng)在制程創(chuàng )新、增加新產(chǎn)能以及設備投資方面都將領(lǐng)先其他廠(chǎng)商，也代表臺灣在全球半導體產(chǎn)業(yè)中持續扮演技術(shù)與產(chǎn)能的領(lǐng)頭羊角色。”