三星加速引進(jìn)EUV設備拚2017年量產(chǎn)7納米

　　三星電子(Samsung Electronics)決定引進(jìn)極紫外光微影制程(EUV)設備，加速發(fā)展晶圓代工事業(yè)，意圖加速超越臺積電等競爭者。不僅如此，最近三星電子還開(kāi)放為韓系中小型IC設計業(yè)者代工200mm(8吋)晶圓，積極擴展晶圓代工客戶(hù)。

　　據韓媒ET News報導，三星集團(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統LSI事業(yè)部進(jìn)行經(jīng)營(yíng)診斷，原本計劃3月底結束診斷作業(yè)，因故延長(cháng)至4月，最終評估后決定引進(jìn)EUV設備，目標2017年量產(chǎn)7納米制程。

　　經(jīng)營(yíng)診斷過(guò)程中有部分意見(jiàn)認為，在考量客戶(hù)資訊保密與營(yíng)運效率下，應將晶圓代工事業(yè)獨立分割，但最后依舊決定在維持現行體系下，以先進(jìn)技術(shù)超越同業(yè)競爭者，并積極爭取更多元的客戶(hù)群。

　　據了解，三星電子將在近期內向荷蘭微影設備大廠(chǎng)ASML購買(mǎi)最新款EUV掃描機NXE:3400，交期定在2017年第2~3季，待機臺裝設完成后將用于2017年底的7納米制程量產(chǎn)。

　　傳ASML總裁Peter Wennink將在本周訪(fǎng)韓，與三星電子討論EUV設備采購案;這將是三星電子首次在生產(chǎn)線(xiàn)上使用EUV設備。

　　日前三星電子系統LSI事業(yè)部在美國矽谷舉行一場(chǎng)非公開(kāi)的三星晶圓代工論壇，對客戶(hù)與合作廠(chǎng)商發(fā)表引入EUV設備的計劃。

　　與會(huì )業(yè)者表示，三星電子決定采用EUV設備，意味著(zhù)將推出有別于臺積電的“完美的7納米”，同時(shí)象征三星電子認為，光靠浸潤式微影(Immersion Lithography)設備恐難完成7納米制程。

　　EUV設備多用于新一代系統半導體、晶圓代工制程。三星電子希望借由在7納米系統半導體制程中導入EUV，為客戶(hù)生產(chǎn)完美的7納米產(chǎn)品。臺積電目前仍無(wú)導入EUV設備量產(chǎn)的計劃。

　　曝光顯影過(guò)程是一連串半導體復雜的制程中最關(guān)鍵的部分，目前主流是采193納米波長(cháng)的氟化氬(ArF)準分子雷射光與浸潤式技術(shù)的微影設備。由于技術(shù)上只能轉印38納米的電路圖，半導體業(yè)者有小于30納米的曝光顯影需求時(shí)，通常需分2~3次進(jìn)行，因此也使成本提高。

　　極紫外光(EUV)是介于紫外線(xiàn)(UV)與X光(X-line)之間的電磁波，波長(cháng)為13.5納米，可刻畫(huà)小于10納米的電路圖案，至今尚未用于量產(chǎn)乃因EUV的晶圓處理速度較浸潤式設備來(lái)得慢。

　　半導體制程專(zhuān)家表示，三星電子將會(huì )把EUV設備用于處理閘極(Gate)等重要電路圖案顯影，其余制程則采用浸潤式設備與多重曝光(Patterning)技術(shù)。