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中國“芯”發(fā)展切勿企圖走“捷徑”

作者: 時(shí)間:2016-04-28 來(lái)源:EEFOCUS 收藏
編者按:國家政策對于半導體產(chǎn)業(yè)的促進(jìn)作用是毋庸置疑的,“大基金”的成立帶動(dòng)了國內資本投資半導體產(chǎn)業(yè)的熱情,但是中國夢(mèng)是自主可控夢(mèng),研發(fā)、兼并與合資合作三家馬車(chē)需齊頭并進(jìn),先進(jìn)技術(shù)是用錢(qián)買(mǎi)不來(lái)的,用市場(chǎng)換也不可能!所以一定要丟掉幻想,不要企圖走‘捷徑’”。

  “如果不從日本進(jìn)口原材料,中國的廠(chǎng)兩個(gè)星期就得停產(chǎn)?!痹谇笫蔷?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/半導體">半導體組織的一次會(huì )議上,資深行業(yè)專(zhuān)家莫大康先生從國內外產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現狀出發(fā),詳細闡述了中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機遇與挑戰,并給出了他對中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201604/290421.htm

  半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現自主可控任重道遠

  莫大康表示,從全球范圍觀(guān)察,由于半導體產(chǎn)業(yè)鏈冗長(cháng)與復雜,目前世界上沒(méi)有那一個(gè)國家敢言“自主可控”。而中國處在一個(gè)特殊環(huán)境下提出產(chǎn)業(yè)需要自主可控是必須的,但是要實(shí)現這個(gè)目標確是任重道遠。中國半導體仍然非常弱小,在材料、設備、制造等各個(gè)環(huán)節全方位落后,相對而言設計和封測發(fā)展得稍好。

  “這是丟人的一天”談到美國政府宣布對中興進(jìn)行制裁,莫老激動(dòng)起來(lái)。2016年3月8日,所有美系半導體企業(yè)(包括被動(dòng)元器件企業(yè))都接到通知,在獲得出口許可之前,不可以給中興供貨。

  中興被限制進(jìn)口元器件并非孤例,中芯國際進(jìn)口設備也曾被限制,到現在美國還禁止英特爾向中國出口超級計算機芯片。美國之所以可以通過(guò)瓦圣納(WA)條約,把中國的系統廠(chǎng)商與芯片制造商玩弄于鼓掌之間,正是因為中國半導體產(chǎn)業(yè)過(guò)于弱小,無(wú)法支撐中國信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)實(shí)現自主可控。

  國家設定的半導體產(chǎn)業(yè)2020年目標是全行業(yè)銷(xiāo)售額9300億,2015年這個(gè)數據僅為3600億。簡(jiǎn)單計算一下,這需要全行業(yè)今后5年的年復合增長(cháng)率達到20%以上。

  民營(yíng)企業(yè)不應該擔負發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的責任

  要實(shí)現這個(gè)目標,就必須要發(fā)展存儲器。中國在2014年進(jìn)口DRAM 179億美元,占全球DRAM總銷(xiāo)售額的38%,NAND型閃存進(jìn)口68億美元,占全球總銷(xiāo)售額的28.2%。存儲器向來(lái)是半導體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標,日韓半導體崛起就是從存儲器開(kāi)始。由于存儲器不依賴(lài)于設計,不需要專(zhuān)門(mén)軟件支持,主要考驗的是工藝、產(chǎn)能與成品率,是典型的高投入高產(chǎn)出行業(yè),如今正值工藝從2D向3D的轉換時(shí)期,如果中國在存儲器上站穩腳跟,才算踏出了實(shí)現自主可控的第一步。

  包括武漢新芯、紫光與合肥力晶等均開(kāi)始殺入存儲器市場(chǎng)。武漢新芯宣布總投資240億美元的存儲器工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)工,媒體爆料紫光也制定了一個(gè)300億美元的投資計劃,其中大頭就是存儲器。國內投資存儲器的熱情不斷升溫,但莫老呼吁產(chǎn)業(yè)應該慎重對待存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,中國發(fā)展存儲器也面臨著(zhù)諸多困難。

  首先是市場(chǎng)的壟斷趨勢越來(lái)越明顯,以DRAM為例,從1999年到現在,只有玩家不斷退出,不見(jiàn)有新來(lái)者進(jìn)入市場(chǎng);其次,中國沒(méi)有存儲器專(zhuān)利儲備,雖然武漢新芯宣布與飛索(Spansion)結盟,但飛索在3D NAND閃存專(zhuān)利上幾無(wú)建樹(shù);第三,市場(chǎng)落后者要能夠忍受長(cháng)期的虧損,從2001年至2010年,全球內存芯片產(chǎn)業(yè)總利潤為80億美元,扣除三星與海力士的利潤以后,其他公司總共虧損近130億美元。

  “但這就像馬拉松,我們一定要先參與進(jìn)來(lái),”莫大康表示,雖然面臨諸多困難,但存儲器這個(gè)游戲一定要參與進(jìn)來(lái),利用日本與臺灣地區的工藝技術(shù)加上大陸的資金,通過(guò)研發(fā)高度定制化的存儲器產(chǎn)品,或許可以求得一席之地。

  不過(guò),莫老對于紫光在存儲器方面的投資并不看好?!翱赡苡虚_(kāi)局,但不會(huì )有結尾,這是我的個(gè)人看法。紫光可能不應該擔負存儲器發(fā)展的責任?!?/p>

  非市場(chǎng)化因素太多將干擾產(chǎn)業(yè)正常發(fā)展

  在為更好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境感到欣慰時(shí),根據以往的經(jīng)驗教訓,莫大康警示:如果在產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中出現太多非市場(chǎng)化因素,將極大的影響半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

  他舉了中芯國際的例子,在2000年至2005年器件,中芯國際發(fā)展非常迅速,2000年9月工廠(chǎng)動(dòng)工,2004年銷(xiāo)售額就達到了10億美元,在紐約、香港兩地上市,后來(lái)建成了大陸第一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)。

  當時(shí)中芯國際與臺積電的工藝差距不到1年,但當更多非市場(chǎng)化因素影響到中芯國際的發(fā)展以后,中芯國際經(jīng)歷了很長(cháng)時(shí)間虧損,只是近三年才擺脫困境,逐漸又回到了正軌,但與臺積電的差距已經(jīng)被拉到了兩代以上??陀^(guān)地分析,中國進(jìn)步也不小,但是臺積電跑得實(shí)在太快。

  莫大康認為,在國家政策的重視與支持之下,半導體投資環(huán)境大大改善,要堅持市場(chǎng)化運作,避免沖動(dòng)式發(fā)展,尤其要注重技術(shù)的發(fā)展與積累。

  莫大康認為要實(shí)現自主可控的目標,就需要把技術(shù)落實(shí)到自己手中。



關(guān)鍵詞: 半導體 晶圓

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