美光下半年SSD出貨將以3D NAND為主，容量更大、速度更快

　　3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，號稱(chēng)是全球密度最高的快閃記憶體，容量可達到其他NAND記憶體的3倍，并具有快速讀寫(xiě)效能，帶來(lái)更便宜每GB成本及省電特性。

　　根據外電報導，半導體業(yè)者美光(Micron)于上周舉行的分析師會(huì )議中透露，今年下半年出貨的固態(tài)硬碟(Solid State Drive，SSD)中，大部份都將是基于3D NAND技術(shù)的產(chǎn)品。

　　3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，以垂直方式堆疊32層的儲存單元，實(shí)現256Gb的多階儲存單元(multilevel cell，MLC)與384Gb的3階儲存單元(triple-level cell，TLC)，號稱(chēng)是全球密度最高的快閃記憶體，高密度的特性讓它的容量可達到其他NAND記憶體的3倍，標榜只要AA電池大小的SSD就能具備3.5TB的儲存容量，2.5寸的SSD則能有10TB的儲存容量。

　　↓3D NAND類(lèi)似建筑一棟大樓，以垂直堆疊方式增加記憶體的容量，提高儲存單位的密度。(圖片來(lái)源：美光)

　　其實(shí)美光與英特爾(Intel)在去年3月就共同發(fā)表了3D NAND快閃記憶體，當時(shí)亦已開(kāi)始送樣，該類(lèi)記憶體的優(yōu)點(diǎn)除了高密度之外，還包括快速的讀寫(xiě)效能、更便宜的每GB成本，以及可用來(lái)省電的新睡眠模式等。

　　現階段3D NAND的每GB成本仍高于平面NAND，但隨著(zhù)3D NAND單一晶圓可裝載的儲存量愈來(lái)愈大，美光估計兩者的成本將在明年交會(huì )，之后3D NAND即會(huì )取得成本優(yōu)勢。

　　根據美光的規畫(huà)，3D NAND將率先于今年6月出現在消費者端的固態(tài)硬碟產(chǎn)品上，繼之推出資料中心專(zhuān)用的SSD，直到相關(guān)成本低于平面NAND之后即會(huì )擴展至各種嵌入式記憶體市場(chǎng)。