Entegris 發(fā)布針對先進(jìn)半導體制造的新型化學(xué)機械研磨后清洗解決方案

　　Entegris, Inc. (一家為先進(jìn)制造環(huán)境提供良率提升材料和相關(guān)解決方案的領(lǐng)先企業(yè))日前發(fā)布了針對半導體制造的新型化學(xué)機械研磨(CMP)后清洗解決方案。新型 PlanarClean? AG 系列產(chǎn)品設計用于 10 nm 及以下的工藝中，并新增到 Entegris 的領(lǐng)先 CMP 后清洗解決方案產(chǎn)品組合。

　　“多年來(lái)，Entegris 一直是 CMP 后清洗方面的行業(yè)領(lǐng)導者。我們的 PlanarClean 系列產(chǎn)品已廣泛用于全球的晶圓廠(chǎng)。由于許多新材料(如鈷和鎢)的添加，先進(jìn)節點(diǎn)處的晶圓生產(chǎn)變得更加復雜，為了解決這個(gè)問(wèn)題，我們仔細重制了PlanarClean 解決方案，既能提供卓越的清洗能力，同時(shí)不破壞先進(jìn)薄膜或新材料”，Entegris CMP 后清洗解決方案總監 Cuong Tran 表示?！癙lanarClean AG 滿(mǎn)足先進(jìn)工藝的需求，同時(shí)還符合我們客戶(hù)制定的新安全指南?！?/p>

　　硅晶圓生產(chǎn)中的 CMP 工藝包含機械研磨步驟，該步驟使用化學(xué)研磨液配方將多余的導電或絕緣材料從集成設備表面上去除，實(shí)現平整、光滑的表面，用于構建多層集成電路。CMP 后清洗步驟去除納米級顆粒，減少潛在的晶圓缺陷，同時(shí)保持已經(jīng)放置到位的材料層的完整性。

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　　在高級工藝中，接觸清洗過(guò)程的薄膜和材料的數量和類(lèi)型發(fā)生了變化，凸顯了對特別配方清洗解決方案的需求。此外，研磨液中所使用的微粒也有所改變，使得許多傳統 CMP 后清潔劑在領(lǐng)先技術(shù)中顯得無(wú)效和低效，特別是在前段 (FEOL) 流程中。如今這些挑戰迫使半導體制造商考慮使用配方清洗解決方案代替商品清洗解決方案。

　　PlanarClean AG 配方解決方案能夠滿(mǎn)足這些需求，在包含銅、鈷和鎢的高級工藝中提供一步式的卓越清洗，同時(shí)保護底層的薄膜和材料。其專(zhuān)有配方可以提高可靠性和產(chǎn)量、實(shí)現極低甚至零腐蝕和缺陷并增加待機時(shí)間，進(jìn)而帶來(lái)更高的性能。此外，PlanarClean AG 可降低清洗步驟中所需的化學(xué)品量，提供使用成本優(yōu)勢，并滿(mǎn)足晶圓廠(chǎng)化學(xué)品的最新 EHS 安全要求。相關(guān)產(chǎn)品已在多家領(lǐng)先晶圓廠(chǎng)成功經(jīng)過(guò)評估，目前可供所有客戶(hù)購買(mǎi)。

　　如想了解更多信息，請聯(lián)系您當地的 Entegris 代表或訪(fǎng)問(wèn) www.entegris.com。