選擇高壓場(chǎng)效應管實(shí)現節能

其中包括三個(gè)因素：周?chē)h(huán)境溫度Ta，功率耗散Pd與結至環(huán)境（junction-to-ambient）熱阻。Pd包括器件的導通損耗與切換損耗。這可由式2計算：
Pd=D.RDS(on).ID2+fsw.(Eon+Eoff) (2)

第一項明確表示了導通損耗，其中D是占空比，ID是漏極電流，RDS(on)是漏極至源級電阻，它也是電流與溫度的函數。應該查閱數據手冊得到本應用運行環(huán)境下的結溫度與漏極電流條件的具體值。

通常難以得到D、ID與RDS(on)的具體數值，所以工程師們傾向于選擇合理值的上界值。也許有人認為只需要考慮一個(gè)參數RDS(on)，但是為了得到更低的RDS(on)，通常需要更大的片基，這會(huì )影響切換損耗和體二極管的恢復。

切換損耗
功率損耗公式的第二部分與切換損耗有關(guān)。這種表示形式更常見(jiàn)于絕緣柵門(mén)極晶體管（IGBT），但fsw.（Eon+Eoff）更好地描述了功率損耗。在不同電流下，可能沒(méi)有導通損耗或導通損耗非常低。

這些損耗受到切換速度與恢復二極管的影響。在平面型MOSFET器件中，通過(guò)提高壽命時(shí)間控制體二極管的性能比在電荷平衡型器件中更為容易。因此，如果你的應用需要MOSFET中的體二極管導通，例如，電機驅動(dòng)的不間斷電源（UPS）或一些鎮流器應用，改進(jìn)的體二極管特性能比最低的導通電阻更有作用。

用這些損失乘以切換頻率（fsw）。關(guān)鍵是設計合適的柵極驅動(dòng)電流，而輸入電容是該設計中的重要因素。

熱阻
計算最大結溫度的另一關(guān)鍵是結至環(huán)境熱阻RΦJA，它由式（3）計算。
RΦJA=RΦJC+RΦCS+RΦSA (3)

RΦJC是結至管殼（junction-to-case）的熱阻，與片基尺寸有關(guān)。RΦCS是管殼至匯點(diǎn)（case-to-sink）熱阻，與熱界面及電隔離有關(guān)，是用戶(hù)參數。RΦSA匯點(diǎn)至環(huán)境熱阻，為基本的散熱與空氣流動(dòng)。