場(chǎng)效應管文章進(jìn)入場(chǎng)效應管技術(shù)社區

e絡(luò )盟擴充東芝場(chǎng)效應管產(chǎn)品系列,滿(mǎn)足全球市場(chǎng)日益增長(cháng)的需求

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò )盟宣布新增250多種東芝（Toshiba）產(chǎn)品，包括一系列新型N通道功率場(chǎng)效應管（MOSFET）。新增系列將涵蓋600V-650V的高壓和30V-150V的低壓產(chǎn)品。Farnell及e絡(luò )盟高級供應商客戶(hù)經(jīng)理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半導體市場(chǎng)正在迅速擴張。盡管這段時(shí)間以來(lái)，汽車(chē)應用對功率半導體的需求一直是人們的熱點(diǎn)話(huà)題。但它掩蓋了一個(gè)事實(shí)，那就是許多其他應用的需求增長(cháng)速度也非常迅猛，至少與汽車(chē)應用的需求增長(cháng)速度相當?！彼a充道：“功率場(chǎng)效
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

據東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應管）計劃在今年 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。據了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開(kāi)關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結構，將其與 PN 二極管并聯(lián)放置，能將可靠性提升 10 倍。雖然上述器件結構可以顯著(zhù)提升可靠性，可它卻有著(zhù)無(wú)法規避的缺點(diǎn) —— 特定導通電阻和性能
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UnitedSiC（現名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）系列。
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場(chǎng)效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導通

1、放大電路場(chǎng)效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場(chǎng)
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怎么選擇三極管和場(chǎng)效應管，看這篇就夠了

隨著(zhù)電子設備升級換代的速度，大家對于電子設備性能的標準也愈來(lái)愈高，在某些電子設備的電路設計與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設備的電路中都是會(huì )運用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應晶體管，因此正確挑選場(chǎng)效應晶體管是硬件工程師常常碰到的難點(diǎn)之一，也是極其重要的1個(gè)環(huán)節，場(chǎng)效應晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費，挑選場(chǎng)效應晶體管，可以從下列六大技巧下手。
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IGBT場(chǎng)效應管的工作原理及檢測方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，具備易于驅動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，已逐步取代晶閘管和GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管），是目前發(fā)展最為迅速的新一代電
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逆變電源設計基本常識

電源，用通常理解的話(huà)說(shuō)：是一種可以為我們電子電器提供合適電壓，電流，波形與頻率的轉換裝置!比如：直流電源，可以理解為頻率為零，波形為直線(xiàn)的
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分享：IGBT的檢測方法

IGBT有三個(gè)電極，分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱(chēng)漏極)及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極)一、用指針式萬(wàn)用表對場(chǎng)效應管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結
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三極管開(kāi)關(guān)電路和場(chǎng)效應管電路優(yōu)劣比較

一般我們在做電路設計時(shí)候，三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路有著(zhù)以下四種區別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問(wèn)題，三極
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【E課堂】模擬電子技術(shù)重難點(diǎn)盤(pán)點(diǎn)

　　在緒論課中，除了簡(jiǎn)要介紹電子技術(shù)的發(fā)展及其應用概況，本課程的性質(zhì)、任務(wù)和要求以及基本內容外，還應著(zhù)重介紹本課程的學(xué)習方法。根據以往的經(jīng)驗，?筆者從學(xué)習“電路”課程過(guò)渡到學(xué)習“電子技術(shù)基礎”課程時(shí)，總感到電子電路的分析與計算，不如“電路”課程中那樣嚴格，那樣有規律可循，時(shí)而忽略這個(gè)元?件，時(shí)而忽略了那個(gè)參數，不好掌握?！　∫蚨仨氈该鞅菊n程是一門(mén)技術(shù)基礎課，著(zhù)重“技術(shù)”二字。在定性分析，搞清概念的基礎上，進(jìn)行定量估算。由于半導體器件參數的分散性，存在?較大的偏差，電阻、電容
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【E課堂】模擬電子技術(shù)的重點(diǎn)及難點(diǎn)簡(jiǎn)析

　　模擬電子技術(shù)是電氣工程及其自動(dòng)化等專(zhuān)業(yè)的學(xué)生必須掌握的一門(mén)技術(shù)，此課程在專(zhuān)業(yè)培養計劃中具有舉足輕重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作崗位的我們在工作中也許會(huì )接觸到這些知識，下面就模擬電子技術(shù)中的重難點(diǎn)做一些說(shuō)明?！　∫?、放大電路基礎　　作為本課程的基礎，由于課程剛入門(mén)，概念較多，又要初步培養分析、計算能力，因此，必須放慢進(jìn)度，保證足夠的學(xué)時(shí)?！　￡P(guān)于半導體的物理基礎部分，因“物理”和“化學(xué)”兩課中一般都已講過(guò)，本課程不必重復，可從晶體的共價(jià)鍵結構講起。PN結是重點(diǎn)內容，要求用物理概念講清PN結的
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系統詳解開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理

幾種基本類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電源　顧名思義，開(kāi)關(guān)電源就是利用電子開(kāi)關(guān)器件（如晶體管、場(chǎng)效應管、可控硅閘流管等），通過(guò)控制電路，使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開(kāi)關(guān)器件對輸入電壓進(jìn)行脈沖調制，
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常用大功率高耐壓場(chǎng)效應管參數114種

常用大功率高耐壓場(chǎng)效應管參數114種
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圖解絕緣柵型場(chǎng)效應管

　　本文圖文結合的解析了絕緣柵型場(chǎng)效應管的工作原理，希望對你的學(xué)習有所幫助?！　≡鰪娦停篤GS=0時(shí)，漏源之間沒(méi)有導電溝道，在VDS作用下無(wú)iD?！　『谋M型：VGS=0時(shí)，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD?！　?、結構和符號(以N溝道增強型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個(gè)濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極?！　∑渌鸐OS管符號　　2、工作原理(以N溝道增強型為例)　　(1) VGS=0時(shí)，不管VDS極性如何，其中總有一個(gè)PN結反偏，
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【E課堂】絕緣柵型場(chǎng)效應管之圖解

　　增強型：VGS=0時(shí)，漏源之間沒(méi)有導電溝道，在VDS作用下無(wú)iD。耗盡型：VGS=0時(shí)，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD?！　?. 結構和符號(以N溝道增強型為例)　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個(gè)濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極?！　?nbsp; 　　其他MOS管符號　　　　2. 工作原理(以N溝道增強型為例)　　　　
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場(chǎng)效應管介紹

目錄場(chǎng)效應管 1.概念: 2.場(chǎng)效應管的分類(lèi): 3.場(chǎng)效應管的主要參數 : 4.結型場(chǎng)效應管的管腳識別: 5.場(chǎng)效應管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應管　　根據三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應晶體管（Field Effec [ 查看詳細 ]