金屬-半導體復合物核殼納米結構研究取得新進(jìn)展
金屬--半導體復合物的“等離子體協(xié)同效應”,使其在光催化,光電器件以及激光等領(lǐng)域都具有廣泛的應用前景。因此,如何精確地控制合成金屬-半導體復合物納米結構,已然成了研究熱點(diǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/184973.htm在雙組份復合系統中,核殼納米結構是最簡(jiǎn)單的,也是最有效的結構。但是由于金屬與半導體之間的界面能比較大,使得半導體傾向于自生成核而不是附著(zhù)在金屬納米顆粒上成核,導致半導體不能均勻地包裹在金屬納米顆粒表面。金屬-半導體復合物核殼納米結構的精確可控合成仍然面臨很大挑戰。
近期,中科院過(guò)程工程研究所王丹研究員的團隊與新加坡南洋理工大學(xué)陳虹宇副教授的團隊合作,以聚乙烯吡咯烷酮為表面活性劑,并且通過(guò)調控:
1、外殼物質(zhì)的成核與生長(cháng);
2、外殼在種子上的附著(zhù)過(guò)程;
3、納米種子的分散與聚集過(guò)程,研發(fā)出了一種將氧化鋅半導體包裹在不同種子(包括金屬、氧化物、聚合物納米顆粒,氧化石墨烯以及碳納米管)表面的普適方法。并且,這種方法不僅局限于以氧化鋅為外殼,還適用于以其他的氧化物或者硫化物為外殼,比如Fe3O4,MnO,Co2O3,TiO2,Eu2O3,Tb2O3,Gd2O3,beta-Ni(OH)2,ZnS,以及CdS等,來(lái)合成復合物核殼納米結構。

合成機理示意圖以及多種核殼結構復合產(chǎn)物的透射電鏡表征
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