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雪崩
雪崩 文章 進(jìn)入雪崩技術(shù)社區
輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。 額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
- 關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩 電流
利用CompactRIO 和LabVIEW在法國阿爾卑斯山脈研究
- 技術(shù)人員正在“減勢土墩”上安裝設備
行業(yè):
科研產(chǎn)品:
實(shí)時(shí)模塊, FPGA模塊, CompactRIO挑戰:
通過(guò)收集關(guān)于雪流速度和壓力的實(shí)時(shí)數據，確定雪崩中雪流規律以及雪崩阻滯屏障的有效性。解決 - 關(guān)鍵字： CompactRIO LabVIEW 法國 雪崩
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雪崩介紹
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