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擊穿
擊穿 文章 進(jìn)入擊穿技術(shù)社區
高壓電解電容波峰焊放電擊穿板上芯片的機理研究及對策
- 王大波，施清清，李會(huì )超，宗? 巖 （珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業(yè)的難題，失效機理復雜，對于因生產(chǎn)現場(chǎng)環(huán)境造成的過(guò)電、靜電失效，環(huán) 節無(wú)法鎖定。通過(guò)對高壓電解電容帶電插裝對印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過(guò)波峰焊時(shí)錫面連錫短路 導致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機理，并制定管控對策，有效降低芯片失效不良。?關(guān)鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA0? 引言?隨著(zhù)電子技術(shù)的發(fā)展，小型化、集成化的芯片被應 用
- 關(guān)鍵字： 202003 芯片失效 高壓電解電容 擊穿 波峰焊 PCBA
【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿？
- MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！ §o電放電形成
- 關(guān)鍵字： MOS 擊穿
開(kāi)關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護
- 中心議題： 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開(kāi)關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案： 耗能式關(guān)斷緩沖電路 耗能式開(kāi)通緩沖電路 無(wú)源回饋關(guān)斷緩沖電路 無(wú)源回饋開(kāi)通緩沖電
- 關(guān)鍵字： 防護 擊穿 晶體管 功率 開(kāi)關(guān)電源
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擊穿介紹
擊穿---絕緣物質(zhì)在電場(chǎng)的作用下發(fā)生劇烈放電或導電的現象叫擊穿。 例如，平常我們使用的驗電筆中的氖管發(fā)光，就是氖管兩端的電壓超過(guò)70V而被擊穿。 電容器的結構特性與作用
1．電容器的結構特性 電容器是由兩個(gè)相互靠近的金屬電極板，中間夾一層絕緣介質(zhì)構成的。在電容器的兩個(gè)電極加上電壓時(shí)，電容器就能儲存電能。
1．電容器
(1)電容器：兩塊相互靠近又彼此絕緣的導體組成電容器．電容 [ 查看詳細 ]
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