適用于便攜式數字終端的電源轉換器

引言：近年來(lái)，手機和，數碼相機和多媒體個(gè)人播放器（PMP）等便攜式終端產(chǎn)品在全球范圍內持續持續升溫，，同時(shí)應對消費者需求的新功能也層出不窮，功能的增多勢必導致系統耗電量的提升，為了滿(mǎn)足更低功耗、更小尺寸的要求，電源管理IC的選擇在便攜產(chǎn)品設計中成為至關(guān)重要的因素。據Databeans預測電源管理芯片已經(jīng)成為全球半導體市場(chǎng)的亮點(diǎn)如圖1。特別是手機為首的手持終端設備趨向于低電壓化，波紋噪聲等的處理和輸出電壓精度的要求越來(lái)越高，這也成為困擾整機設計師和電源IC設計師們的重要課題。富士通常年以來(lái)致力于電源IC的研發(fā)，已經(jīng)成功推出了數百款的電源IC產(chǎn)品。在日本的DC/DC市場(chǎng)份額名列前茅。多年來(lái)在全球被許多頂級的廠(chǎng)商大量采用。特別是，富士通在面向便攜式產(chǎn)品的電源管理IC的開(kāi)發(fā)擁有豐富的經(jīng)驗，常年為日本國內各大頂級數碼相機,數碼攝像機以及手機廠(chǎng)商提供高品質(zhì)的電源管理芯片。為了滿(mǎn)足便攜式終端對電源的最新需求，位與日本的富士通專(zhuān)業(yè)電源研發(fā)中心 推出了面向便攜式產(chǎn)品的“MB39C014”（單通道，內置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉換器）和MB39C015（雙通道，內置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉換器）這兩款的產(chǎn)品。MB39C014和MB39C015為內置MOS管，每個(gè)通道最大輸出電流高達800mA, 擁有低噪聲，高啟動(dòng)響應，電源啟動(dòng)順序控制等特點(diǎn)，特別適合PMP,PND，數碼相機，手機，硬盤(pán)，DVD驅動(dòng)器，EVD驅動(dòng)器等產(chǎn)品

工作時(shí),內置振動(dòng)發(fā)生器(方形波發(fā)生電路)產(chǎn)生2MHz的工作頻率，通過(guò)讓內置的Pch/Nch MOSFET進(jìn)行同步整流來(lái)進(jìn)行控制。該單元考慮了同步整流所導致的貫穿電流的可能性，并對此作了防護措施。

檢測內置的Pch MOS FET流入外部電感的電流(ILX)。將ILX的峰值電流IPK進(jìn)行I-V轉換，將轉換后的VIDET和誤差放大器的輸出值進(jìn)行比較，使PWM邏輯控制單元控制Pch MOS FET “OFF”。

將VREF等的標準電壓和輸出電壓進(jìn)行比較。MB39C015內置了相位補償電路，已將IC調整到最佳工作狀態(tài)。因此，完全不需要考慮相位補償和為相位補償外置器件等問(wèn)題。

高精度的標準電壓產(chǎn)生BGR(Band Gap Reference)電路。輸出電壓為1.30V(標準)。

用來(lái)監測VDD端口。通常XPOR端口通過(guò)外置電阻作為VDD端口的pull-up來(lái)使用，當VDET端口的電壓達到0.6V的時(shí)候輸出狀態(tài)為“H”。

防止低電源電壓狀態(tài)時(shí)誤工作的單元。低電源電壓時(shí)輸出狀態(tài)為“Hi-Z”

內置過(guò)熱保護電路單元。當芯片溫度達到或超過(guò)135度時(shí)候，自動(dòng)將SW FET的Nch和Pch同時(shí)設定為“OFF”。雖然沒(méi)有特地設置專(zhuān)用的過(guò)電流保護單元，但由于該芯片采用的是電流控制模式，隨時(shí)監測峰值電流，進(jìn)而進(jìn)行控制。