SSEC晶圓蝕刻制程平臺專(zhuān)用多路徑回收排放管路

　　先進(jìn)封裝與半導體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統大廠(chǎng)美國固態(tài)半導體設備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專(zhuān)為 WaferEtch 平臺設計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專(zhuān)屬的排放管路設計能在相同的反應室內收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且幾乎不會(huì )造成化學(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲存值。此外，即時(shí)冷卻功能可對現今微細特征蝕刻應用提供更佳的制程控制。

　　形成微細特征需要蝕刻制程(例如凸塊底層金屬 [UBM])，而其中蝕刻制程涉及多個(gè)金屬層，并指定使用不相容的化學(xué)品，而這些化學(xué)品不得接觸排放管路內相同的浸濕區域。SSEC的執行長(cháng)Herman Itzkowitz解釋?zhuān)骸高^(guò)去在單晶圓濕制程機臺上容納兩至三種化學(xué)品時(shí)，要利用收集器下方的導流閥才能完成，而只要化學(xué)品在短時(shí)間內使用相同路徑時(shí)，導流閥足以擔負這項工作。一般來(lái)說(shuō)，采用這種方法造成交叉污染的機率會(huì )小于1%?！宫F在，全新的排放管路設計采取多重收集法，減少煙霧且幾乎能完全排除交叉污染，因而能夠在相同的反應室內蝕刻多個(gè)金屬物。

　　除了可個(gè)別地密封多個(gè)排放管路開(kāi)口以避免交叉污染外，本機臺的晶圓卡盤(pán)能在多路徑回收的過(guò)程中保持固定，形成恒定的冷卻特性，以便在必要時(shí)終止蝕刻制程，改善制程控制。此創(chuàng )新設計使SSEC出色的化學(xué)品儲存值可達到99.5%的化學(xué)品收集。高回收百分比加上降低交叉污染不但延長(cháng)電解槽的使用壽命，也降低整體的購置成本。多路徑回收排放管路目前已是WaferEtch平臺的標準配備，而且也能在業(yè)內現有之3300系列機臺上進(jìn)行改裝。