波導SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)

對于SOl波導來(lái)說(shuō)，CVD技術(shù)一般用來(lái)淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。

對于調制器等有源器件來(lái)說(shuō)，這一層還起著(zhù)隔離金屬電極減小電極對波導造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起到隔離金屬的作用;但也不能太厚，因為如果太厚，金屬覆蓋也存在問(wèn)題。

對于波導器件如波導分束器(Y分支、S彎曲分支)等器件來(lái)說(shuō)，波導上包層的覆蓋比較困難，因為這種分支的角度一般很小(小于1°)，直接導致分支間距很小，這就存在著(zhù)上包層覆蓋填充的問(wèn)題，如果填充不好，就會(huì )留有空隙，對波導器件性能造成不利的影響;對于有源器件來(lái)說(shuō)還有可能造成上層金屬斷路。所以如何選擇合適的溫度、氣流、摻雜劑含量使得上包層填充覆蓋完好是至關(guān)重要的。