D類(lèi)MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用
加入技術(shù)交流群
圖7所示為IRFP360的外型及表示符號。它的特點(diǎn)，一是具有隔離式的中心裝配孔，并有重復性的雪崩定額；二是漏源之間并聯(lián)有反向二極管，其電壓變化率定額很大而且驅動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單，此外，同型號的管子并聯(lián)也很容易。然而，由于MOS管的柵極輸人阻抗較高，容易產(chǎn)生較高的感應電壓，從而導致柵極易擊穿，所以在維護中應特別注意。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/157734.htm
一般情況下，應將MOS管存放在防靜電包裝袋內，或在各極短路的情況下保存。同時(shí)對存放庫房應注意除塵，保持庫房的清潔。在取用和安裝過(guò)程中，應帶好防靜電手鐲。更換管子時(shí)，應將新管的源極(S)接地，并使用防靜電烙鐵或焊接時(shí)拔掉烙鐵的電源插頭，并快速焊接。
4 結束語(yǔ)
利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性可使射頻功率放大器工作于D類(lèi)開(kāi)關(guān)狀態(tài)，以便提高整機效率、改善技術(shù)指標。希望通過(guò)本文的分析，為MOSFET的使用維護帶來(lái)一些啟迪。
評論