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開(kāi)關(guān)特性
開(kāi)關(guān)特性 文章 進(jìn)入開(kāi)關(guān)特性技術(shù)社區
雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析S
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC 開(kāi)關(guān)特性
淺析柵極電阻RG對IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響
- 1 前言 用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻 開(kāi)關(guān)特性 性能影響
一種單級式半橋功率因數校正電路
- 1．前言為了滿(mǎn)足各種國際標準對開(kāi)關(guān)電源諧波的要求，抑制電子產(chǎn)品對電網(wǎng)的污染，大量的功率因數校正(PowerF...
- 關(guān)鍵字： 零電壓(ZVS)開(kāi)關(guān)特性 功率因數校正(PFC) 半橋變換器
柵極電阻RG對IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
- 1 前言 用于控制、調節和開(kāi)關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(
- 關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻 開(kāi)關(guān)特性 分析
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開(kāi)關(guān)特性介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條開(kāi)關(guān)特性!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對開(kāi)關(guān)特性的理解，并與今后在此搜索開(kāi)關(guān)特性的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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