D類(lèi)MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用
加入技術(shù)交流群
2．1 全橋組態(tài)工作原理
圖4所示為射頻放大器的全橋組態(tài)，即四對MOS管用作開(kāi)關(guān)。射頻激勵信號的相位情況是當射頻功放模塊接通時(shí)，這些開(kāi)關(guān)中只有兩個(gè)可以組合起來(lái)。并且，在激勵信號的正半周，標示為0°的MOS管處于正半周，標示為180°的MOS管處于負半周。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/157734.htm
在射頻周期的負半周，Ql／Q3和Q6／Q8處于截止狀態(tài)，相當于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；Q2／Q4和QS／Q7則是飽和導通的，相當于開(kāi)關(guān)接通。Q2／Q4和QS／Q7串聯(lián)導通電源電壓為+V，若忽略MOS管的飽和壓降，+V將全部降落在合成變壓器上。在射頻周期的正半周，Q1／Q3和Q6／Q8處于導通狀態(tài)，Q2／Q4和QS／Q7為截止狀態(tài)。Ql／Q3和Q6／Q8串聯(lián)導通電源電壓+V，+V全部降落在合成變壓器上。由圖4可見(jiàn)，合成變壓器初級電壓方波輸出相差180°，說(shuō)明輸出電壓的峰峰值為+2V。MOS開(kāi)關(guān)的作用就是有效地將整個(gè)電源電壓跨接在合成變壓器的初級繞組上，在射頻激勵信號的每半個(gè)周期是反相的。作為全橋組態(tài)，輸出就是兩倍電源電壓的射頻輸出。為了防止直流電壓通過(guò)變壓器的繞組通地，應在每部分的射頻輸出都串聯(lián)有隔直電容C。
2．2 半橋組態(tài)工作原理
以Q1／Q3和QS／Q7的工作情況為例，其工作原理如圖5所示。
評論