基于ISO14443A協(xié)議的RFID芯片模擬前端設計
3 模擬前端電路設計
3.1 電源產(chǎn)生
圖3為電源產(chǎn)生電路,由整流器和限幅器組成。當卡與讀卡器無(wú)數據交互時(shí),讀卡器向空間中發(fā)射13.56MHz的正弦交變電磁場(chǎng)。圖3中L為片外電感,C為片內電容,LC匹配的諧振頻率為13.56 MHz,C1為穩壓儲能電容。當卡由遠及近靠近讀卡器時(shí),LC發(fā)生諧振,RF1和RF2上的電壓被諧振電路抬高,整流器開(kāi)始工作,將正弦交變電壓轉化為直流電壓VDD。當空間中電磁場(chǎng)強度很弱時(shí),VDD電壓值較低,不能給芯片供電。隨著(zhù)卡靠近讀卡器,LC耦合得到的能量變強,VDD升高到芯片工作所需要的額定電壓,芯片開(kāi)始工作。但是,若卡繼續靠近讀卡器,VDD會(huì )繼續上升,上升到超過(guò)MOS的擊穿電壓時(shí)芯片內的器件會(huì )被燒壞而失效。所以,需要引入限幅器,使VDD穩定在芯片工作的額定電壓,這里設定的是2V。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/156001.htm
限幅器的設計需要滿(mǎn)足兩點(diǎn)要求:第一,可精確調節;第二,高增益。正常情況下讀卡器提供的能量大于其正常工作需要的能量,多余的能量需要限幅器泄放掉。隨著(zhù)卡靠近讀卡器,RF1和RF2的電壓升高,VDD和Vdect跟隨RF1、RF2上升,當:
VDD≈V_dect=3Vthp+VREF (1)
此時(shí),M61、M62、M63組成的支路導通,M51的尺寸遠大于M52的尺寸,二者構成的反相器翻轉閾值為V_dect—Vthp,當M61所在支路導通時(shí),M51和M52構成的反相器翻轉,X輸出高電壓,使M7打開(kāi),RF1和RF2通過(guò)M31、M32泄流,從而電壓VDD被箝位穩定在式(1)所示的值上。反相器高增益使限幅器的靈敏度提高,當VDD恰好達到式(1)時(shí),限幅器就開(kāi)始泄流穩壓,使VDD不隨讀卡器能量的變化而變化,以及不隨負載的變化而變化。高增益的限幅器可以看作理想的穩壓二極管。由式(1)可知,只需調節VREF即可得到精確的想要的VDD,例如Vthp=0.4 V,需要VDD=2 V,只需設定VREF=0.8 V即可。此處設計的限幅器可以看作電壓可精確調節的理想穩壓二極管。
3.2 數據接收
圖4為數據接收電路,即解調電路。讀卡器向卡發(fā)送的數據是載波為13.56 MHz、數據率為106 kb/s的100%的幅度調制信號,波形可以看作106 kHz的方波與13.56 MHz的正弦波的乘積。數據解調的原理是:當RF1電壓為正弦波時(shí)(即有效數據1部分),電壓信號由D0、I0、C1、C2構成的包絡(luò )檢波整形。在A(yíng)點(diǎn)得到直流電壓為VREF6并帶有一定紋波的電壓信號,紋波的大小由C1、C2、I0的大小決定。選取REF6=0.6 V,VREF3=0.3 V,比較器輸出高電壓。當RF1電壓由正弦變?yōu)?(有效數據0部分)時(shí),由于A(yíng)點(diǎn)信號反應速度高于放大器帶寬,包絡(luò )檢波的A點(diǎn)電壓迅速降低,使VAVREF3,比較器輸出低電壓,并且關(guān)閉放大器,使A點(diǎn)電壓穩定在0,比較器的輸出保持0,等待下一個(gè)數據。
由于工藝與溫度的偏差,導致I0、C1、C2的值發(fā)生變化,A點(diǎn)的紋波大小會(huì )發(fā)生變化。在RF1為正弦波,也就是數據為1的時(shí)候,若A點(diǎn)的紋波大于2(VREF6~VREF3),數據解調將發(fā)生錯誤。比較器在有效數據為1時(shí)應輸出高電壓,但是由于A(yíng)點(diǎn)電壓紋波過(guò)大導致比較器輸出在數據為1輸出13.56 MHz的方波,解調失敗??梢酝ㄟ^(guò)提高VREF6的值,從而提高A點(diǎn)紋波的容忍度,來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。但是若A點(diǎn)電壓過(guò)高,使A點(diǎn)反應速度低于放大器帶寬,數據由1變?yōu)?時(shí),A點(diǎn)不能迅速作出反應,產(chǎn)生低電壓,所以不能解調出數據0。所以VREF6的值的選取需要適中,最好可以由系統動(dòng)態(tài)配置。
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