華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”)宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產(chǎn)工藝的代工廠(chǎng)之一。

　　該新型SiGe工藝平臺包括0.13um SiGe Bipolar及0.18um SiGe BiCMOS兩套工藝，其中0.18um SiGe BiCMOS根據CMOS工作電壓的不同，可分為1.8/3.3V和純5V兩種。這幾套工藝是華虹NEC針對射頻前端、高速通訊等新興應用而開(kāi)發(fā)的，具有低噪聲、高速度、高耐壓、多樣工藝選項等優(yōu)點(diǎn)，適合于手機通訊，無(wú)線(xiàn)路由，導航及光通訊等領(lǐng)域，極大地方便了客戶(hù)選擇，為客戶(hù)提供更多的價(jià)值。

　　基于多年0.18/0.25微米RF-CMOS工藝成功的量產(chǎn)經(jīng)驗，結合自身在SiGe技術(shù)上的積累與客戶(hù)對無(wú)線(xiàn)射頻前端專(zhuān)用工藝的迫切需求，華虹NEC開(kāi)發(fā)了具有國際先進(jìn)水平的0.13/0.18微米SiGe工藝平臺。該工藝平臺核心器件性能優(yōu)良，并提供豐富的器件選項，極大地增加了設計的靈活性。完整的PDK及器件模型，使得電路的設計更加方便快捷，從而大大縮短開(kāi)發(fā)周期，提高開(kāi)發(fā)效率。同時(shí)華虹NEC還可以向客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)而完備的設計支持，及時(shí)幫助客戶(hù)解決問(wèn)題。

　　華虹NEC銷(xiāo)售與市場(chǎng)副總裁高峰表示，“0.13/0.18微米SiGe工藝的成功開(kāi)發(fā)，加快了華虹NEC在射頻前端市場(chǎng)的開(kāi)拓步伐，進(jìn)一步鞏固了其在國內市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。華虹NEC將瞄準高端市場(chǎng)需求，繼續開(kāi)發(fā)性?xún)r(jià)比更高的射頻工藝技術(shù)平臺。”