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格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )通信發(fā)展
- 格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專(zhuān)為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶(hù)而打造，適用于汽車(chē)雷達、衛星通信、5G毫米波基站等其他無(wú)線(xiàn)或有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò )的應用。 格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶(hù)制定射頻解決方案，以在更遠距離實(shí)現更快的數據吞吐量，同時(shí)耗能更少。這項先進(jìn)技術(shù)大幅提升了異質(zhì)結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數、改善信號完整性并將硅鍺 8XP
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 SiGe
飛思卡爾新產(chǎn)品引領(lǐng)高性能射頻技術(shù)發(fā)展
- 無(wú)線(xiàn)技術(shù)的便利性已經(jīng)得到所有人的認可，無(wú)線(xiàn)技術(shù)的優(yōu)勢也通過(guò)技術(shù)的不斷演進(jìn)變得越來(lái)越明顯，從而帶動(dòng)整個(gè)無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的快速普及。射頻不是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件，而是一個(gè)涉及多個(gè)半導體器件的解決方案。 作為這個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)導者之一，飛思卡爾半導體提供廣泛的射頻低功率產(chǎn)品組合，滿(mǎn)足目前復雜且具有挑戰性的應用及市場(chǎng)需求。從通用放大器、增益模塊、信號控制產(chǎn)品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC，飛思卡爾利用各種基于III-V的技術(shù)和先進(jìn)的SiGe芯片工藝為客戶(hù)提供解決方案，滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)基礎設施、無(wú)線(xiàn)通信、蜂窩通信、工業(yè)、
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 SiGe MMZ25333B
高線(xiàn)性度SiGe下變頻混頻器
- 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業(yè)內最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點(diǎn)向觀(guān)眾展示了以下應用...
- 關(guān)鍵字： 高線(xiàn)性度 SiGe 變頻混頻器
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )系統、衛星無(wú)線(xiàn)電及類(lèi)似應用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器
- Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產(chǎn)品線(xiàn)的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進(jìn)的SiGe工藝設計，具有0.65dB的超低噪聲系數，與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗，是智能手機、個(gè)人導航設備(PND)及其它電池供電手持設備的理想選擇。 MAX2667/MAX2669提供不同的線(xiàn)性指標選項，以滿(mǎn)足不同的系統要求。對于要求在存
- 關(guān)鍵字： Maxim LNA SiGe MAX2667 MAX2669
sige介紹
百科名片
1、英語(yǔ)單詞：sign。n.標記, 符號, 記號, 征兆, 跡象, 征候。v.簽名(于), 署名(于)～, 簽署。2、數學(xué)函數之一。3、日本動(dòng)畫(huà)片《火影忍者之疾風(fēng)傳》主題曲，brown eyed girls 的一首歌曲也叫這個(gè)名字。4、同名韓劇
編輯本段英文單詞
名詞sign:
1. a perceptible indication of something not im [ 查看詳細 ]
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