閃存與控制器結合 美光挑戰SSD技術(shù)高峰

　　在閃存業(yè)務(wù)方面若想獲得成功，你需要結合閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)，美光表示這兩樣，它都具備。

　　半導體制造商美光已經(jīng)一定的閃存基礎，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經(jīng)被戴爾服務(wù)器使用。

　　美光想要傳達的主要信息是，閃存技術(shù)將會(huì )變得更加復雜，需要緊密地集成控制器和NAND芯片。美光NAND解決方案副總裁Glenn Hawk表示：“那些精通NAND技術(shù)的公司，對于世界領(lǐng)先產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)有很大的優(yōu)勢。”換句話(huà)說(shuō)，你需要了解你的控制器技術(shù)的具體閃存細節，美光最適合發(fā)展閃存，因為它有自己的閃存產(chǎn)品。而其他的競爭者Fusion-io、LSI和OCZ則沒(méi)有。

　　美光憑借自己的NAND技術(shù)進(jìn)軍客戶(hù)端和企業(yè)端市場(chǎng)。

　　在客戶(hù)端SSD方面，美光利用SATA接口和例如來(lái)自Marvell的第三方控制器，構建了C400入門(mén)級系統，并且把目光瞄準了主流和高性能以及入門(mén)級部件。它將會(huì )在未來(lái)的幾個(gè)月推出20nm級(29nm-20nm范圍)SATASSD和之后的1Xnm(19-10nm范圍)。入門(mén)級產(chǎn)品聚焦于降低成本;而主流和性能部件則注重提升性能。

　　隨著(zhù)時(shí)間的推移，SATA總線(xiàn)將會(huì )變得飽和，PCIe客戶(hù)端SSD的一些形式會(huì )得到發(fā)展。

　　在帶有內部控制器的企業(yè)級方面，有P400m SATA產(chǎn)品和P410m SAS產(chǎn)品用于存儲陣列。P400M是一個(gè)25nm級產(chǎn)品，現在已經(jīng)通過(guò)了OEM認證。對于美光來(lái)說(shuō)PCIe是很有趣的，通過(guò)提供基于主機的管理來(lái)限制閃存性能和主機CPU循環(huán)，來(lái)提升競爭力。

　　美光更喜歡基于閃存驅動(dòng)器的管理，通過(guò)使用基于A(yíng)SIC的控制器提高閃存速度以及釋放主機服務(wù)器CPU周期來(lái)實(shí)現。

　　據我們了解在發(fā)展過(guò)程中，美光正在開(kāi)發(fā)MLCPCIe閃存卡。

　　美光認為，到2015-2016年間我們將看到PCIe和SAS體系架構的融合以及新內存技術(shù)的誕生?？梢钥隙ǖ氖?，美光將繼續通過(guò)使用3DNAND技術(shù)，從當前的2Xnm過(guò)渡到1Xnm，推動(dòng)容量和改善每GB成本。

　　美光也致力于提供一個(gè)共享閃存系統。據Stifel Nicolaus分析師Aaron Rakers稱(chēng)，這將使用PCIeP320h閃存卡和收購Virtensys獲得的PCIe共享技術(shù)。他預計2013年中期能夠看到出貨收入，2013年末看到產(chǎn)品版本。

　　這樣的產(chǎn)品將會(huì )和EMC的Thunder、Violin Memory的網(wǎng)絡(luò )閃存陣列和使用Fusion-io的ION數據加速技術(shù)的系統相競爭。

　　美光正在告訴世界它將長(cháng)期經(jīng)營(yíng)閃存產(chǎn)品，并且相信它垂直的閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)集成賦予了美光一定的必要基礎。Fusion-io、LSI、OCZ、SanDisk和STEC小心，美光正在發(fā)力。