三星電子 全球首家量產(chǎn)20納米級移動(dòng)存儲器

　　日前，三星電子發(fā)布，其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面擴大其4Gb DRAM市場(chǎng)。

　　三星電子繼2012年3月開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊，4月又開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米級4GbLPDDR2DRAM，從而成了擁有業(yè)界最大高端4Gb存儲生產(chǎn)線(xiàn)的廠(chǎng)商。

　　據了解，20納米級4GbDRAM產(chǎn)品群，不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機解決方案，而且其最小的芯片尺寸，可實(shí)現超薄設計。因此，該產(chǎn)品成為了創(chuàng )新企業(yè)及手機生產(chǎn)廠(chǎng)商推出的下一代系統時(shí)確保其優(yōu)勢的核心要素。

　　三星電子2011年3月開(kāi)始批量生產(chǎn)了30納米級存儲器。此次業(yè)界首家批量生產(chǎn)最小尺寸20納米級存儲，意味著(zhù)三星電子不僅能夠確保在30納米級移動(dòng)存儲以及20納米級移動(dòng)存儲領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，而且將繼續引領(lǐng)移動(dòng)存儲市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

　　三星電子存儲器事業(yè)部戰略營(yíng)銷(xiāo)部洪完勛副社長(cháng)表示，“2011年三星電子憑借業(yè)界首家批量生產(chǎn)30納米級4GbDRAM，擴大了市場(chǎng)份額。2012年，則通過(guò)20納米級4Gb的批量生產(chǎn)，有望實(shí)現進(jìn)一步差異化高端存儲器市場(chǎng)目標。今年下半年，將繼續加大20納米級的比重,從而搶占高端市場(chǎng)，進(jìn)而加強競爭優(yōu)勢。”