英飛凌面向汽車(chē)電子推出創(chuàng )新型H-PSOF封裝

　　德國紐必堡訊–英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一種創(chuàng )新型封裝技術(shù)，為純電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)等要求苛刻的汽車(chē)電子應用帶來(lái)更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標準H-PSOF (散熱型塑料小外形扁平引線(xiàn))。首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40V OptiMOS™ T2功率晶體管，它們的漏極電流高達300A，導通電阻(RDS(on))低至0.76毫歐。

　　性能更高的功率電子元器件, 可幫助汽車(chē)系統設計人員達到更高的強制性的汽車(chē)燃油效率標準，同時(shí)滿(mǎn)足苛刻的總體排放要求。為達到這些標準，需要采用電流承受能力超過(guò)200A，導通電阻低于1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗并提高總體效率。迄今為止，汽車(chē)市場(chǎng)尚未推出滿(mǎn)足這些需求的MOSFET。

　　通過(guò)推出H-PSOF封裝技術(shù)，英飛凌設立了一個(gè)新的里程碑，可提供漏極電流高達300A，導通電阻低至0.76毫歐的40V功率MOSFET。此外，相比通常用于同類(lèi)汽車(chē)應用的標準D2PAK封裝(TO-263)而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。 H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。

　　英飛凌科技股份公司汽車(chē)電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示：“通過(guò)開(kāi)發(fā)創(chuàng )新型H-PSOF封裝，加上其深厚的汽車(chē)系統專(zhuān)業(yè)知識，英飛凌進(jìn)一步增強了其在汽車(chē)和電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。這一面向大電流MOSFET的全新封裝，能夠讓我們的汽車(chē)系統供應商客戶(hù)設計出能效和可靠性更高的汽車(chē)電子產(chǎn)品，從而達到汽車(chē)油耗和排放的需求。”

　　H-PSOF封裝可幫助汽車(chē)電子制造商更好地服務(wù)于大電流應用市場(chǎng)。這些應用包括混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)的電池管理、電動(dòng)助力轉向(EPS)、汽車(chē)發(fā)電機，以及其它可提高燃油效率和降低排放的大負載應用。美國市場(chǎng)研究公司Strategy Analytics在最近發(fā)布的一份研究報告中指出，一個(gè)快速增長(cháng)的應用領(lǐng)域是汽車(chē)EPS和啟停系統。預計到2016年，該市場(chǎng)的銷(xiāo)量將從2011年的4700萬(wàn)套增至1.1億套以上，年均復合增長(cháng)率約為19%。

　　開(kāi)發(fā)H-PSOF封裝的主要目標是降低封裝電阻，并在具備較大電流承受能力的D2PAK 的基礎之上，進(jìn)一步提高封裝的電流承受能力。

　　H-PSOF封裝還具備組裝和制造上的優(yōu)勢。其特殊的設計可確保良好的可焊性，從而實(shí)現可靠的焊接。此外，組裝和制造廠(chǎng)還能利用自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)設備控制焊接引線(xiàn)，而AOI是表面貼裝工藝(SMT)生產(chǎn)線(xiàn)中常有的一部分。

　　供貨情況

　　采用H-PSOF封裝的首款產(chǎn)品是IPLU300N04S4-R7，它是英飛凌40V OptiMOS T2汽車(chē)級功率晶體管產(chǎn)品家族的一員。該家族是節能增效、二氧化碳減排和電力傳動(dòng)應用的全球標桿性產(chǎn)品。IPLU300N04S4-R7的連續漏極電流(ID)為300A，導通電阻(RDS(on))為0.76m?。英飛凌采用H-PSOF封裝的器件符合AEC-Q101標準。公司還計劃推出更多采用H-PSOF封裝的40V和30V汽車(chē)級MOSFET。