三星與全球晶圓巨頭結盟 臺積電備戰

　　全球晶圓(GlobalFoundries)及三星電子決定針對28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程進(jìn)行合作，同時(shí)開(kāi)放兩方共4座12寸晶圓廠(chǎng)，讓客戶(hù)自由選擇下單投片地點(diǎn)。

　　三星及全球晶圓希望能爭取到更多智能型手機或平板計算機等核心芯片訂單，特別是爭取蘋(píng)果A6或高通Snapdragon等ARM架構應用處理器代工訂單，讓臺積電(2330)在擴展28納米制程上，面臨強大競爭壓力。

　　事實(shí)上，包括三星、全球晶圓、IBM、意法半導體等4家半導體廠(chǎng)，去年中旬已宣布28納米HKMG制程合作計劃，并將旗下12寸廠(chǎng)制程進(jìn)行同步，確?？蛻?hù)芯片設計能夠在3個(gè)國家的多座晶圓廠(chǎng)內靈活生產(chǎn)，無(wú)需重新設計。

　　三星及全球晶圓此次推出的28納米高性能低漏電制程(28nmLPH)，主要鎖定行動(dòng)裝置核心芯片市場(chǎng)，同樣也采取晶圓廠(chǎng)同步計劃，包括全球晶圓的德國德勒斯登(Dresden)Fab1、美國紐約Fab8，三星的韓國器興S1、美國德州S2等4座12寸廠(chǎng)等，讓客戶(hù)自由選擇投片地點(diǎn)，同時(shí)也能提高晶圓廠(chǎng)的整體利用率。

　　臺積電先前已宣布推出代號為28HPM的28納米新制程，主要是針對行動(dòng)裝置核心芯片所設計，今年第4季就可導入量產(chǎn)。

　　28HPM制程采用的是臺積電第1代HKMG技術(shù)，可以讓芯片運算時(shí)脈達到1.8GHz，核心電壓也僅有0.9伏特。

　　但值得注意之處，在于三星及全球晶圓采用的28納米是基于前閘極(gate-first)技術(shù)，與臺積電28納米HKMG制程采用的后閘極(gate-last)不同。對上游客戶(hù)來(lái)說(shuō)，同一顆產(chǎn)品進(jìn)行2種不同技術(shù)的設計，成本太高，所以現在面臨的是要如何選擇出最佳的晶圓代工伙伴。

　　設備業(yè)者指出，臺積電、三星及全球晶圓等兩大陣營(yíng)，28納米采用的閘極技術(shù)不同，上游客戶(hù)得在芯片設計時(shí)，就決定要下單臺積電，或是下單三星或全球晶圓。也就是說(shuō)，28納米的訂單流向，將會(huì )是贏(yíng)者全拿的情況。以今年底為止的28納米ARM處理器新芯片設計定案(tape-out)情況來(lái)看，臺積電現在位居領(lǐng)先地位，這可能是迫使三星及全球晶圓攜手合作的原因之一。