三星第2季內存營(yíng)收同比減12%

　　三星電子日前公布，今年第2季(4-6月)半導體部門(mén)合并營(yíng)收年減4%至9.16兆億韓圜，略低于前季的9.18兆億韓圜;合并營(yíng)益年減11.3%至1.79兆億韓圜，高于前季的營(yíng)益1.64兆億韓圜;營(yíng)益率達19.6%，高于前季的17.9%，但低于去年同期的30.9%。三星指出，4-6月內存營(yíng)收年減12%至5.89兆億韓圜。

　　三星電子曾在1月28日預期，今年半導體部門(mén)資本支出將由去年的12.7兆億韓圜下降至10.3兆億韓圜，其中內存相關(guān)資本支出將由去年的9兆億韓圜下滑36%至5.8兆億韓圜。Thomson Reuters報導，三星電子執行長(cháng)Choi Gee-sung 7月25日在首爾參加產(chǎn)業(yè)會(huì )議時(shí)對記者表示，該公司計劃在今年調高內存芯片投資額，下半年的資本支出預算也不會(huì )刪減。他甚至表示，內存芯片的投資額將高于該公司原先預期。

　　三星指出，4-6月淡季期間消費者PC需求疲弱，但行動(dòng)裝置、服務(wù)器需求仍穩健。根據三星估計，4-6月PC出貨量季增率、年增率都介于1-4%之間，而每臺系統內建的DRAM位量則季增1-4%、年增15%。此外，三星電子自身的成本競爭優(yōu)勢則因轉換至3X奈米制程技術(shù)而上升。

　　在NAND型閃存方面，智能型手機、平板計算機等行動(dòng)裝置的需求強勁，但現貨價(jià)仍因淡季期間通路需求疲弱(例如記憶卡)、部分廠(chǎng)商壓低產(chǎn)品價(jià)格而下滑。三星電子自身的成本競爭優(yōu)勢則因加速轉換至2X奈米制程技術(shù)而上升。

　　展望本季(Q3)，三星預期PC出貨量、每臺系統內建的DRAM位量都可望季增6-9%。此外，預估2011年P(guān)C出貨量、每臺系統內建的DRAM位量將分別成長(cháng)1-4%、21-24%。

　　在NAND型閃存方面，三星預期本季供需將因新款智能型手機、平板計算機問(wèn)世而吃緊，而固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求也將因數據中心、超薄型筆記本電腦出貨量增加而表現強勁。

　　在系統LSI(System LSI)方面，三星預期本季需求將在旺季效應的帶動(dòng)下攀升，預期雙核心應用處理器、BSI影像傳感器需求料將在高階行動(dòng)裝置的支撐下攀高。