MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局？三星已開(kāi)始大量生產(chǎn)

　　據報道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。

　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線(xiàn)上，開(kāi)始大規模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠(chǎng)房舉行了儀式，標志著(zhù)新內存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。

　　這種解決方案無(wú)需在數據記錄期間擦除數據，并實(shí)現了比傳統閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很優(yōu)秀。

　　三星將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術(shù)相結合。在FD-SOI工藝中，硅片上覆蓋一層絕緣膜，在頂部形成晶體管。它的特點(diǎn)是大大降低了晶體管運行過(guò)程中產(chǎn)生的漏電流。該公司在FD-SOI進(jìn)程中添加了嵌入式內存技術(shù)。嵌入式存儲技術(shù)是一種存儲模塊，用于小型電子設備的微控制器單元(MCU)和片上系統(SoC)等系統半導體中存儲信息。

　　三星電子表示，該解決方案結構簡(jiǎn)單，可以通過(guò)在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數來(lái)實(shí)現，從而減輕了公司進(jìn)行新設計的負擔，并降低了生產(chǎn)成本。三星計劃擴大其嵌入式內存解決方案，從今年生產(chǎn)1塊Gbe MRAM測試芯片開(kāi)始。

　　行業(yè)分析師表示，隨著(zhù)eMRAM的推出，三星將增加其代工銷(xiāo)售，同時(shí)增強其在代工方面的競爭力，以確保在未來(lái)半導體市場(chǎng)占據領(lǐng)先地位。

　　三星計劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。