SEMI預計2011年全球半導體設備增長(cháng)31%達440億美元

　　根據國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新報告，全球包含新、舊設備花費的晶圓廠(chǎng)設備資本支出在2011年將可有年增31%的幅度，達到440億美元新高點(diǎn)，只是建廠(chǎng)支出在2011年會(huì )年減3%至49億美元，在2012年更可能再滑落12%。

　　SEMI分析師Christian Gregor Dieseldorff表示，自2月以來(lái)就看到一些業(yè)者上調設備資本支出計劃的動(dòng)作，這便可望讓2011年晶圓廠(chǎng)設備支出來(lái)到440億美元左右的歷史新高點(diǎn)。只是之后到了2012年，Dieseldorff預測晶圓廠(chǎng)設備支出可能會(huì )回跌6%，至410億美元，雖然這在歷年支出規模中仍排名第2。

　　雖然2011年晶圓廠(chǎng)設備支出額可望達到新高，Dieseldorff也警告2011、2012年新建量產(chǎn)晶圓廠(chǎng)數量，可能會(huì )掉到新低點(diǎn)，這對之后半導體業(yè)產(chǎn)能或將造成影響。根據SEMI數據，2011年有17座新量產(chǎn)晶圓廠(chǎng)可能會(huì )開(kāi)始動(dòng)工，其中有13座是LED晶圓廠(chǎng)。如果把LED晶圓廠(chǎng)拿掉不算，SEMI預測2011年開(kāi)始興建的新量產(chǎn)晶圓廠(chǎng)只會(huì )有4座，2012年也是一樣只有4座。

　　另外SEMI也提到2012年或可能看到半導體業(yè)者開(kāi)始投資18吋晶圓廠(chǎng)試產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)設備。2010年其實(shí)已有業(yè)者開(kāi)始興建準18吋晶圓廠(chǎng)，2011年將可看到更多建廠(chǎng)動(dòng)作。

　　至于日本311震災影響部分，SEMI認為應只會(huì )對產(chǎn)能利用率、產(chǎn)出造成短期影響，對裝機產(chǎn)能來(lái)說(shuō)應不會(huì )有太大沖擊。根據SEMI預測，2011、2012年的裝機產(chǎn)能分別會(huì )成長(cháng)9%、7%左右。

　　另外SEMI也指出不包括離散組件的最新半導體廠(chǎng)產(chǎn)能擴充幅度仍持平守在年增10%以下的水平。至于2010年晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能成長(cháng)幅度超過(guò)內存區塊的情況，SEMI認為應會(huì )持續至2011年。相較于內存區塊產(chǎn)能可能只有8%的年增表現，2011年晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能或可年增13%。不過(guò)2011年產(chǎn)能增加最快的區塊應仍是LED晶圓廠(chǎng)，年增幅度可能超過(guò)40%，之后在2012年則會(huì )稍見(jiàn)減少。

　　根據SEMI數據，雖然產(chǎn)能年增幅度不算高，不過(guò)2011年內存區塊占全球裝機產(chǎn)能比例仍有38%之多，晶圓代工廠(chǎng)所占比例也有29%左右。