據稱(chēng)三星完成3D芯片準備工作
據南韓電子新聞報導,三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統的建構,正準備投入量產(chǎn)。近來(lái)英特爾(Intel)宣告領(lǐng)先全球開(kāi)發(fā)出3D芯片,三星也表示持有相當數量的相關(guān)技術(shù),且已確保量產(chǎn)技術(shù)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/119939.htm業(yè)界專(zhuān)家認為,在行動(dòng)應用處理器(AP)市場(chǎng)上初嶄露頭角的三星,透過(guò)引進(jìn)英特爾3D技術(shù),為進(jìn)入市場(chǎng)已籌備一段時(shí)間。據南韓相關(guān)業(yè)者表示,三星系統LSI事業(yè)部不只確保多項3D芯片制程技術(shù),也已完成量產(chǎn)系統架構,目前正在討論何時(shí)投入量產(chǎn)。
三星投入量產(chǎn)的時(shí)程,可能與英特爾使用3D芯片技術(shù)制作Ivy Bridge的生產(chǎn)時(shí)期相近。也就是說(shuō)三星和英特爾間使用3D芯片制程技術(shù)生產(chǎn)芯片的競爭,將會(huì )在2011年內正式展開(kāi)。
三星所持有的3D芯片制程技術(shù)與英特爾所發(fā)表的3D芯片技術(shù)「tri-gate」,雖然基本理論相同,但形態(tài)完全相異,因此未來(lái)應不會(huì )發(fā)生專(zhuān)利侵權相關(guān)問(wèn)題。
外電指出,三星自2006年起將3D芯片技術(shù)應用在50奈米1Gb DRAM,比英特爾更早掌握以3D立體結構生產(chǎn)芯片的訣竅。3D制程技術(shù)可應用在20奈米半導體,行動(dòng)應用處理器的微細制程競爭勢必也將越演越烈。
南韓業(yè)界專(zhuān)家表示,雖然與生產(chǎn)內存芯片有很大差異,但使用3D技數量產(chǎn)基本上是相同的,因此三星系統LSI事業(yè)部在生產(chǎn)3D芯片上應不會(huì )遇到太大困難,而最重要的產(chǎn)品性能就必須待產(chǎn)品上市后,才能進(jìn)行觀(guān)察。
三星相關(guān)人員表示,三星已確保3D芯片制程技術(shù),但目前的行動(dòng)應用處理器產(chǎn)品已可充分滿(mǎn)足客戶(hù)要求的水平,認為沒(méi)有立即量產(chǎn)的必要性,將持續觀(guān)察適合投入量產(chǎn)時(shí)機。
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