SEMI保守預測未來(lái)兩年全球晶圓產(chǎn)能

　　根據 SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠(chǎng)預測(World Fab Forecast)，預估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(cháng)，而2012年將成長(cháng)9%;相較于2003~2007年的每年兩位數成長(cháng)，SEMI對明后年的預估相對審慎保守。

　　若從產(chǎn)業(yè)區隔來(lái)觀(guān)察2004年以來(lái)的產(chǎn)能年成長(cháng)率， LED產(chǎn)業(yè)表現最突出，過(guò)去六年來(lái)都以?xún)晌粩档乃俣燃菜俪砷L(cháng)。而過(guò)去由內存產(chǎn)業(yè)帶領(lǐng)產(chǎn)業(yè)成長(cháng)的局面已經(jīng)改變，內存產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)率由過(guò)去是晶圓代工廠(chǎng)的兩倍，到2012年將維持和晶圓代工廠(chǎng)相當。

　　在制程技術(shù)升級和持續擴產(chǎn)的需求驅動(dòng)下，晶圓廠(chǎng)支出在2011年將成長(cháng)18.3%，2012年再成長(cháng)9.5%。其中又以內存、晶圓代工和MPU支出最為明顯。2011年的晶圓廠(chǎng)投資中，在建廠(chǎng)方面的支出減少11%，由于各家廠(chǎng)商目前沒(méi)有宣布明確的新廠(chǎng)建置計劃，2012年的建廠(chǎng)支出尚未明朗。

　　相對于建廠(chǎng)支出的減少，2011年晶圓廠(chǎng)在制程相關(guān)設備的投資金額預估將提高23%，達到400億美元，超越2007年的水準，創(chuàng )下19年來(lái)的最高紀錄。2010年半導體設備支出前三名的領(lǐng)域別則為內存、晶圓廠(chǎng)和MPU。

　　但是報告也指出，未來(lái)兩年半導體新廠(chǎng)的建置計劃明顯銳減， SEMI 資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示：“由于新廠(chǎng)需要18~24個(gè)月的規劃、建置、設備裝機、認證和試營(yíng)運，如果上線(xiàn)時(shí)間太慢，擔心兩年后半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)動(dòng)能可能會(huì )不足。”

　　值得注意的是，消費者對于許多新應用和電子裝置的需求讓NAND成為成長(cháng)最快速的市場(chǎng)之一，NAND的價(jià)格下降則更加速市場(chǎng)需求和成長(cháng)。