英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝
—— 在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別
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據國外媒體報道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開(kāi)發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級別。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/114056.htm據《日經(jīng)新聞》報道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠(chǎng)商英特爾結成合作伙伴，并邀請大約10家半導體材料及其他領(lǐng)域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。
據稱(chēng)，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省有可能提供大約50億日元(約合6121萬(wàn)美元)作為研發(fā)啟動(dòng)資金。參與此項目的各家企業(yè)將再提供50億日元。
東芝和三星電子計劃利用新技術(shù)制造10納米級別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開(kāi)發(fā)更快的微處理器。
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