三星35納米4Q出擊　臺DRAM廠(chǎng)以卵擊石

　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續踩油門(mén)，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標2010年底占總產(chǎn)能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時(shí)臺、韓DRAM之戰將形成以卵擊石，加上臺廠(chǎng)新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開(kāi)出，近期DRAM價(jià)格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價(jià)格殺至1.7美元，較同容量DDR2價(jià)格還要低。

　　近期DRAM合約價(jià)及現貨價(jià)均呈現極度疲軟，尤其在傳統旺季是相當少見(jiàn)情況，甚至有點(diǎn)呼應三星日前所提出DRAM產(chǎn)業(yè)將供過(guò)于求論調，臺、美、日DRAM業(yè)者氣勢都相當疲弱，似乎對于三星頻出招重擊動(dòng)作毫無(wú)招架之力。DRAM業(yè)者表示，三星提出到2011年第1季以前都供過(guò)于求論調，其實(shí)有跡可循，除第3季PC旺季不旺，第4季能見(jiàn)度不佳，三星最新一代35納米制程即將問(wèn)世，更是DRAM產(chǎn)業(yè)重要殺手，業(yè)界都相當擔心三星推出35納米制程后，將再次展開(kāi)大殺價(jià)。

　　DRAM業(yè)者指出，目前三星主力制程是46納米，已比臺廠(chǎng)快上1個(gè)世代，南亞科和華亞科50納米才剛要量產(chǎn)，力晶和瑞晶還停留在63納米，至于45納米才剛要準備起跑，三星不僅在46納米遠遠領(lǐng)先臺廠(chǎng)，更計劃第4季試產(chǎn)35納米制程，目標是2010年底占總產(chǎn)能10%。

　　值得注意的是，三星35納米制程比46納米成本再下降30%，2Gb容量DDR3成本趨近1美元，下降速度相當驚人，2011年35納米將成為三星主力制程，預計2011年第3季可超過(guò)總產(chǎn)出50%，屆時(shí)南亞科和華亞科陣營(yíng)即使是以42納米與三星對打，力晶和瑞晶陣營(yíng)以45納米應戰，都將是以卵擊石。

　　存儲器業(yè)者表示，9月DRAM合約價(jià)大跌近10%，讓DRAM業(yè)者士氣低落，部分因素是9月有季底作帳壓力，大部分客戶(hù)不愿拿貨，造成價(jià)格反應較激烈，隨著(zhù)合約價(jià)下修，現貨價(jià)亦難獨撐大局，臺面上DDR3 eTT價(jià)格雖還有2美元，但私下交易已跌破2美元，甚至傳出已殺至1.7美元，第4季供給端殺手除三星35納米問(wèn)世，臺廠(chǎng)制程微縮產(chǎn)能亦多數在第4季到 2011年第1季期間大量出貨，對價(jià)格殺傷力不容小覷，要扭轉頹勢必須靠PC需求回籠。

　　臺DRAM廠(chǎng)表示，當DRAM價(jià)格下修到某種程度，過(guò)去PC廠(chǎng)從4GB容量模塊砍到2GB容量策略，或許會(huì )出現逆轉，若搭載存儲器主流容量能夠以4GB起跳，配合PC出貨量升溫，大量消耗DRAM產(chǎn)能，將是挽救搖搖欲墜DRAM價(jià)格最健康方式。