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快閃存儲器
快閃存儲器 文章 進(jìn)入快閃存儲器技術(shù)社區
快閃存儲器儲存陣列市場(chǎng)滲透率成長(cháng)強勁
- 市場(chǎng)研究機構IDC最近發(fā)布的一份報告指出，快閃記憶體儲存陣列的市場(chǎng)滲透率正在快速成長(cháng);該份報告顯示，包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays，AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays，HFA)在內的全球快閃記憶體陣列市場(chǎng)規模，在2014年可達113億美元。 IDC的報告指出，快閃記憶體陣列市場(chǎng)的成長(cháng)動(dòng)力，來(lái)自于越來(lái)越多廠(chǎng)商提供針對不同應用、支援越來(lái)越高復雜度工作任務(wù)的多樣化產(chǎn)品;“該市場(chǎng)的成長(cháng)速度高過(guò)于我們預期，” IDC分析師
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10月快閃存儲器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲
- 市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。 集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無(wú)錫廠(chǎng)發(fā)生火災意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷(xiāo)售并無(wú)好轉跡象，不過(guò)，海力士無(wú)錫廠(chǎng)復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。 集邦預期，近期1至2個(gè)月
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)
- 全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進(jìn)一步強化合作關(guān)系。 全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫(huà)，就是看好未來(lái)廣大的行動(dòng)運算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開(kāi)發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實(shí)體智財產(chǎn)品。 因
- 關(guān)鍵字： 全球晶圓 90納米 快閃存儲器
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