華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)——華虹半導體有限公司 (“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱(chēng)“集團”，股份代號：1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實(shí)現量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競爭力再度加強。

　　華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎上，于90nm G2 eFlash工藝平臺實(shí)現了多方面的技術(shù)提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠(chǎng)90納米工藝節點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設計架構，在保證高可靠性 (即10萬(wàn)次擦寫(xiě)及25年數據保持能力) 的同時(shí)，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢更為顯著(zhù)。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。

　　目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現了高良率的穩定量產(chǎn)，成功用于大規模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性?xún)r(jià)比的芯片制造技術(shù)解決方案。

　　華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標志著(zhù)華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是我們的戰略重點(diǎn)之一，長(cháng)期以來(lái)憑借著(zhù)高安全性、高穩定性、高性?xún)r(jià)比以及技術(shù)先進(jìn)性在業(yè)界廣受認可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠(chǎng)，華虹半導體將堅持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級平臺，持續領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等高增長(cháng)新興市場(chǎng)?！?/p>