應用材料為先進(jìn)微芯片設計提供流體CVD技術(shù)

　　美國應用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學(xué)氣相沉積)系統。這是首創(chuàng )的也是唯一的以高質(zhì)量介電薄膜隔離20納米及以下存儲器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術(shù)。這些隔離區域可以形成深寬比大于30(是當今需求的5倍)和高度復雜的形貌。Eterna FCVD系統的獨特工藝能夠以致密且無(wú)碳的介電薄膜從底部填充所有這些區域，并且其成本僅是綜合旋轉方式的一半左右，后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。

　　應用材料公司副總裁、電介質(zhì)系統組件和化學(xué)機械拋光事業(yè)部總經(jīng)理比爾.麥克林托克先生表示：“在先進(jìn)芯片設計中要填充更小和更深結構的需求對于現有沉積技術(shù)形成了實(shí)質(zhì)性的壁壘。應用材料公司今天通過(guò)推出全新的Eterna FCVD系統打破了這一壁壘，提供了突破性的技術(shù)，使得摩爾定律可以繼續取得進(jìn)展。應用材料公司以Eterna FCVD系統延續了十年來(lái)在溝槽填充技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，為客戶(hù)應對多個(gè)新芯片世代的挑戰提供了獨特、簡(jiǎn)化和具有成本效益的解決方案。”

　　應用材料公司專(zhuān)有的Eterna FCVD工藝形成了一個(gè)可以自由流入任何形狀結構的液體狀薄膜，提供從底部向上的無(wú)空缺填充。Eterna FCVD系統已經(jīng)被安裝在6個(gè)客戶(hù)的生產(chǎn)廠(chǎng)內，它們被整合在應用材料公司的基準Producer主機平臺上，用于DRAM、閃存和邏輯芯片的應用。