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沉積技術(shù)
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機和汽車(chē)到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng )建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著(zhù)芯片特征變得更小，現有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
- 關(guān)鍵字： SPARC 先進(jìn)邏輯 DRAM 沉積技術(shù)
Tegal出售納米沉積技術(shù)
- 芯片設備制造商Tegal日前表示，該公司已經(jīng)以大約360萬(wàn)美元售出超過(guò)30項的納米沉積(Nanolayer deposition, NLD)專(zhuān)利。 Tegal并未透露專(zhuān)利購買(mǎi)者的細節。該公司曾在去年9月時(shí)宣布將尋求出售專(zhuān)利。2010年3月，該公司也曾出售其原有的薄膜蝕刻和物理氣相沉積產(chǎn)品線(xiàn)給OEM Group Inc.;另外，去年稍早該公司也將深層反應離子蝕刻設備出售給SPTS。 Tegal表示，該公司仍希望能以剩下的NLD技術(shù)售價(jià)能高于400萬(wàn)美元。目前該公司仍就其專(zhuān)利組合中的Lot 4
- 關(guān)鍵字： Tegal 納米 沉積技術(shù)
應用材料為先進(jìn)微芯片設計提供流體CVD技術(shù)
- 美國應用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學(xué)氣相沉積)系統。這是首創(chuàng )的也是唯一的以高質(zhì)量介電薄膜隔離20納米及以下存儲器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術(shù)。這些隔離區域可以形成深寬比大于30(是當今需求的5倍)和高度復雜的形貌。Eterna FCVD系統的獨特工藝能夠以致密且無(wú)碳的介電薄膜從底部填充所有這些區域，并且其成本僅是綜合旋轉方式的一半左右，后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。 應用材料公司副總裁、電介質(zhì)系統組件和化學(xué)機
- 關(guān)鍵字： 應用材料 沉積技術(shù) 薄膜沉積
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沉積技術(shù)介紹
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