Applied Materials宣布開(kāi)發(fā)出深寬比高達30：1的化學(xué)氣相淀積技術(shù)

　　Applied Materials公司近日宣布開(kāi)發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的 隔離層結構。據Applied Materials公司宣稱(chēng)，這些隔離結構的深寬比可超過(guò)30：1，比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。

　　這項技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專(zhuān)利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動(dòng)到需要填充的各種形狀的結構中，填充形式為自底向上，而且填充結構中不會(huì )產(chǎn)生空隙。

　　Applied Materials公司還宣稱(chēng)目前采用了Eterna FCVD技術(shù)的化學(xué)氣相淀積設備已經(jīng)在六家客戶(hù)公司內開(kāi)始裝機，這些客戶(hù)包括內存，閃存以及邏輯芯片廠(chǎng)商。

　　化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝，可用來(lái)淀積各種氧化物，氮化物，多晶硅以及金屬導體膜。