AMD透露Llano集顯處理器部分設計細節

　　在本周召開(kāi)的國際固態(tài)電路研討會(huì )(ISSCC)上，AMD透露了其集顯CPU產(chǎn)品Fusion的一些設計細節。這款代號為”Llano“的集顯處理器產(chǎn)品 將采用32nm SOI制程制作，內核將集成Phenom II 四核處理器核心，并將集成支持DX11的GPU核心，這款產(chǎn)品的設計將比Intel目前推出的CPU+GPU雙芯片集顯CPU設計的集成度和復雜程度均更 勝一籌。

　　據AMD高管Samuel Naffziger透露，目前AMD公司正積極努力試圖減小Llano中x86處理器核心部分的功耗水平，這樣便可提升集顯部分的性能，并將CPU總體發(fā)熱量和功耗控制在較為理想的水平。

　　由于使用基于SOI的制造工藝，因此可以在功耗控制電路中使用NFET管，不必像體硅制程那樣使用大量PFET管來(lái)控制，而PFET管在開(kāi)關(guān)速度以及體積方面則不及NFET管，同時(shí)也不需要在芯片中使用較厚的金屬層來(lái)傳輸電流。另外AMD在LIano集顯處理器中還采用了新的時(shí)鐘電路設計，新設計中大幅減小了時(shí)鐘緩沖器的數量，這樣便減少了用于傳輸時(shí)鐘信號的金屬線(xiàn)所產(chǎn)生的電容，這樣時(shí)鐘頻率的控制便可更為精細，閑置狀態(tài)下時(shí)鐘電路的耗電便可減少。

　　他承認采用這些新設計必須對芯片內部電路進(jìn)行重新的設計，不過(guò)他同時(shí)也強調如果繼續按照舊思路設計芯片，那么由此造成的漏電和低功效則無(wú)法滿(mǎn)足Fusion產(chǎn)品的功耗需求。

　　最后，AMD還透露他們將為這款產(chǎn)品加入數字功耗控制模塊(digital power management module)，這些控制模塊可以監視處理器的功耗狀況，該模塊使用的并不是根據處理器溫度等傳統計量方法來(lái)控制處理器頻率的設計，AMD認為這些傳統的頻率自動(dòng)控制技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足各個(gè)核心獨立控制的要求，而且也很容易產(chǎn)生控制誤差。

　　據悉Llano將于今年下半年開(kāi)始進(jìn)入試樣生產(chǎn)階段，并將于明年初交付給部分OEM廠(chǎng)商試用，預計這款產(chǎn)品初期將隨筆記本Sabine平臺以及Lynx桌面平臺登場(chǎng)。