中國存儲器市占2年內大躍升 盧超群：產(chǎn)業(yè)進(jìn)入重大轉型期

全球存儲器市場(chǎng)正在從谷底回升，看好存儲器將成為AI運算的核心之一，但鈺創(chuàng )董事長(cháng)盧超群示警，中國大陸廠(chǎng)商正加速擴張中低階DRAM產(chǎn)能，未來(lái)2年市占率將可望躍升至4成，恐將沖擊全球價(jià)格與產(chǎn)業(yè)結構。

對于短期需求，盧超群表示，是否處于真實(shí)需求或庫存拉貨，仍需進(jìn)一步觀(guān)察，但從第2季起需求已逐步浮現，預期第3~4季有望逐季轉強，包括車(chē)用產(chǎn)品在關(guān)稅政策壓力下，目前尚未接獲任何來(lái)自客戶(hù)的負面回饋，因此將審慎態(tài)度因應短期變動(dòng)，推進(jìn)長(cháng)期的應用布局。

鈺創(chuàng )觀(guān)察，旗下存儲器產(chǎn)品較少直接出貨至美國市場(chǎng)，但近期在對等關(guān)稅90天豁免期間，確實(shí)有部分客戶(hù)呈現較積極備貨動(dòng)能，尤其是網(wǎng)絡(luò )和通信產(chǎn)品較為顯著(zhù)，中國大陸市場(chǎng)出貨反較穩定，以IP Cam及安控相關(guān)的內需市場(chǎng)為主。

盧超群指出，存儲器在未來(lái)AI架構中占據約50%的比重，與邏輯芯片和軟件并列為AI運算的兩大核心。 隨著(zhù)AI應用日益普及，內存需求也進(jìn)入重大轉型期，無(wú)論是高帶寬記憶體（HBM）或通用型DRAM，市場(chǎng)呈長(cháng)期擴張趨勢。

近年SK海力士（SK Hynix）在HBM搶得先機而受惠于A(yíng)I熱潮。 盧超群認為，存儲器產(chǎn)業(yè)正處于重大轉型期，關(guān)鍵在于持續創(chuàng )新與智慧財產(chǎn)權的保護，未來(lái)3~5年將是關(guān)鍵決勝階段，鈺創(chuàng )對此已早有布局，看好未來(lái)仍有機會(huì )掌握相關(guān)商機。

不過(guò)內存在供給面仍面臨產(chǎn)業(yè)挑戰。 盧超群指出，中國大陸憑借低價(jià)與大量生產(chǎn)的策略，產(chǎn)能擴張速度將非常驚人，目前中國大陸業(yè)者在DDR5以下的內存市占約達20%，但未來(lái)2年將可能拉升至40%。

三星電子（Samsung Electronics）等國際大廠(chǎng)傳出將逐漸淡出DDR4產(chǎn)品線(xiàn)，雖然三星不會(huì )完全退出DDR5以下的市場(chǎng)，但會(huì )透過(guò)策略性控制產(chǎn)能，以應對價(jià)格壓力。

由于中國大陸這波新增產(chǎn)能并非正常循環(huán)，而是額外涌現的供給，對全球市場(chǎng)形成壓力，若未來(lái)產(chǎn)出持續放大，不排除全球將面臨存儲器價(jià)格新一輪修正風(fēng)險。 隨著(zhù)貿易競爭已蔓延至歐洲，各國開(kāi)始關(guān)注中國大陸產(chǎn)品外溢可能造成的供需失衡與技術(shù)保護問(wèn)題。

盧超群指出，未來(lái)存儲器市場(chǎng)將可能會(huì )出現配額制度，中國臺灣也必須提早因應，不應僅仰賴(lài)大規模量產(chǎn)模式，應強化產(chǎn)品差異化、制程創(chuàng )新與智財權布局，才能在新一輪記憶體競爭中站穩腳步。

鈺創(chuàng )表示，存儲器近年來(lái)鎖定在智慧生活等三大應用場(chǎng)景，包括智慧聯(lián)網(wǎng)、智能移動(dòng)與智慧家庭。

據估計，Wi-Fi 6/6E 2025年滲透率接近8成，而Wi-Fi 7 2025年滲透率將從2024年2.1%成長(cháng)到7.1%，在2026年達到13.6%，鈺創(chuàng )的DDR4 4Gb已導入全球電信業(yè)者Wi-Fi 6E進(jìn)入量產(chǎn); 2025年DDR4 4Gb及8Gb均先后打入Wi-Fi 7供應鏈。

至于DDR3 4Gb和8Gb導入于多樣車(chē)用電子產(chǎn)品，包括車(chē)用影音及娛樂(lè )系統等，此外，KGDM技術(shù)也切入國際智能門(mén)鎖、智能音箱、全景相機、網(wǎng)絡(luò )攝影機品牌。