科學(xué)家研發(fā)出直徑僅數十納米的半導體材料納米線(xiàn)

　　來(lái)自美國加州大學(xué)亨利·薩繆理工程和應用科學(xué)分院， 美國普渡大學(xué)和IBM公司的研究人員最近成功開(kāi)發(fā)出了一種采用硅鍺半導體材料制成的納米線(xiàn)，采用這種技術(shù)，科學(xué)家們可以開(kāi)發(fā)出尺寸更小的微電子設備。這種硅鍺材料納米線(xiàn)的直徑可控制在數十至數百納米之間，長(cháng)度則可達數微米。研究者可以以這種技術(shù)為基礎，研發(fā)出更高性能的高速電子設備。

　　該技術(shù)的研發(fā)團隊展示了幾種原子級尺寸的，采用不同的硅鍺材料制成的分層結構納米線(xiàn)，這種納米線(xiàn)可以有效地傳輸電荷。研發(fā)人員展示的這種納米線(xiàn)其接口尺寸可以做到僅有一個(gè)原子大小，而過(guò)去，阻礙人們制作超小尺寸納米線(xiàn)的障礙主要是有關(guān)技術(shù)的解像度不足。

　　美國加州大學(xué)的教授，該技術(shù)的研發(fā)者之一Suneel Kodambaka表示，硅鍺半導體材料納米線(xiàn)技術(shù)不僅可被用于半導體應用，而且在汽車(chē)，熱電領(lǐng)域也有較為廣闊的發(fā)展前景。

　　研發(fā)人員表示，研發(fā)小組的下一步工作計劃是采用類(lèi)似的技術(shù)制造出尺寸更大一點(diǎn)的納米線(xiàn)，以便將這種納米線(xiàn)與常規的納米線(xiàn)的電性能進(jìn)行比對。