中國科學(xué)家實(shí)現半導體量子點(diǎn)與CMOS兼容芯片重大突破！

中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所取得重要突破，成功實(shí)現了III-V族半導體量子點(diǎn)光源與CMOS工藝兼容的碳化硅光子芯片異質(zhì)集成。這一創(chuàng )新性的混合集成方案，將含InAs量子點(diǎn)的GaAs波導精準堆疊至4H-SiC電光材料制備的微環(huán)諧振腔上，形成回音壁模式的平面局域光場(chǎng)。

進(jìn)一步研究中，在片上集成微型加熱器后，研究人員實(shí)現了對量子點(diǎn)激子態(tài)光譜范圍的寬達4nm的調諧。這一片上熱光調諧能力使得腔模與量子點(diǎn)光信號達到精準匹配，實(shí)現了微腔增強的確定性單光子發(fā)射。實(shí)驗證明，該技術(shù)在4H-SiC光子芯片上具有擴展潛力，并能克服不同微腔間固有頻率差異帶來(lái)的問(wèn)題。

這項新技術(shù)結合了高純度和CMOS工藝兼容性，并且有望推動(dòng)實(shí)用化的光量子網(wǎng)絡(luò )發(fā)展。