傳三星將轉移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM！標準DRAM將供不應求、價(jià)格大漲！

7月17日消息，據三星供應鏈廠(chǎng)商透露，已接獲三星通知，其高頻寬內存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已通過(guò)英偉達（NVIDIA）認證，預計本季開(kāi)始供貨。對此，三星將轉移高達30%的現有DRAM產(chǎn)能用來(lái)生產(chǎn)HBM3e，以保障對于英偉達等大廠(chǎng)的供應。

此外，三星目前已經(jīng)向供應鏈伙伴預告需要“提早備貨”相關(guān)標準DRAM產(chǎn)品，有相關(guān)供應鏈廠(chǎng)商已經(jīng)接到了通知，這也讓三星大量轉移DRAM產(chǎn)能生產(chǎn)HBM的傳聞更具可信度。

HBM是AI芯片關(guān)鍵組件，隨著(zhù)AI芯片的需求增長(cháng)，對于HBM的需求也是供不應求。目前在HBM市場(chǎng)，SK海力士占據著(zhù)領(lǐng)導地位，三星也在持續發(fā)力HBM，希望能夠追趕上SK海力士。此次成功通過(guò)英偉達的驗證，則意味著(zhù)其能夠大量供貨給英偉達，從而進(jìn)一步提升在HBM市場(chǎng)的市占率，縮小與SK海力士的差距。

為什么三星需要轉移這么多的DRAM產(chǎn)能來(lái)生產(chǎn)HBM呢？因為，即使在相同制程工藝節點(diǎn)下，相同容量的HBM對于晶圓的消耗也遠高于DDR5。美光此前就曾在其財報中指出，在整個(gè)行業(yè)范圍內，HBM3e在同一技術(shù)節點(diǎn)中生產(chǎn)給定數量的位所消耗的晶圓供應量大約是DDR5的三倍。也就是說(shuō)，三星轉移現有的30%的DRAM產(chǎn)能來(lái)生產(chǎn)HBM，可能也只能帶來(lái)這些轉移的總產(chǎn)能的1/3的HBM產(chǎn)能增加。

雖然三星將其現有的30%的DRAM產(chǎn)能轉移生產(chǎn)HBM，將有助于緩解市場(chǎng)上HBM的供應緊張問(wèn)題，但是也將會(huì )造成對標準DRAM產(chǎn)品的供應大幅減少。由于三星是全球DRAM芯片的龍頭，占據整個(gè)市場(chǎng)超過(guò)45%的份額，勢必將造成全球標準DRAM產(chǎn)品的供給緊張、價(jià)格上漲。根據計算，三星此舉將影響全球現有超過(guò)13%的DRAM產(chǎn)能不再投入DDR4或DDR5等DRAM產(chǎn)品，從而導致DRAM市場(chǎng)更加供不應求。

據《經(jīng)濟日報》援引外資投行摩根士丹利的報告稱(chēng)，DRAM正迎來(lái)前所未有的供需失衡“超級周期”，標準型DRAM供應缺口更是高于HBM達23%，預計價(jià)格將一路上漲。

南亞科技總經(jīng)理李培瑛此前曾指出，HBM、DDR5供不應求，有望拉抬DRAM市場(chǎng)，預期南亞科技下半年將維持全產(chǎn)能生產(chǎn)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

李培瑛認為，南亞科技較有把握調漲DDR4價(jià)格，主因是三大原廠(chǎng)產(chǎn)能排擠下，將減少DDR4產(chǎn)出，預期將調整相關(guān)市場(chǎng)庫存，而在需求大于供給下，南亞科技也會(huì )有較大的議價(jià)能力。

威剛董事長(cháng)陳立白也樂(lè )觀(guān)看待整體DRAM市場(chǎng)，他指出，目前上游原廠(chǎng)對價(jià)格態(tài)度依舊相當正向積極，產(chǎn)能配置以毛利率最高的HBM優(yōu)先配置，之后才是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利為導向，看好除了DDR5價(jià)格繼續上漲外，DDR4待庫存去化告一段落，價(jià)格也將從8月開(kāi)始進(jìn)入第二波漲勢，漲幅至少30%以上。

十銓也預告，DDR5由于原廠(chǎng)的供給量不足，價(jià)格仍會(huì )持續微幅上揚，消費級AI應用將會(huì )于今年第4季后，隨著(zhù)相關(guān)終端裝置新品陸續推出，將帶動(dòng)需求上揚。

根據市場(chǎng)研究機構TrendForce此前發(fā)布的調查報告顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續上漲約8~13%，其中PC DRAM 預計環(huán)比上漲3-8%，Server DRAM預計環(huán)比上漲8-13%，Mobile DRAM預計環(huán)比上漲3-8%，Graphics DRAM預計環(huán)比上漲3-8%，Consumer DRAM DDR3&DDR4預計環(huán)比增長(cháng)3-8%。

值得一提的是，據《韓國經(jīng)濟日報》引述未具名消息人士報導，三星目前正準備運用4nm制程，量產(chǎn)第六代高帶寬內存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。該邏輯芯粒位于HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。三星目前是以10nm制程生產(chǎn)HBM3E的邏輯芯粒，現在計劃運用4nm來(lái)生產(chǎn)，是希望借此奪得HBM技術(shù)的領(lǐng)導地位。

編輯：芯智訊-浪客劍