三星否認HBM3E質(zhì)量問(wèn)題！
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5月27日消息，據韓國媒體Business Korea報道稱(chēng)，針對此前三星高帶寬內存（HBM）未通過(guò)英偉達（NVIDIA）認證是因為功耗及散熱問(wèn)題的消息，三星予以了否認。
日前路透社引述市場(chǎng)人士的說(shuō)法稱(chēng)，三星最新的HBM芯片由于散熱和功耗問(wèn)題，導致其尚未通過(guò)GPU大廠(chǎng)英偉達的測試認證。
對此，三星發(fā)布聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，以便為客戶(hù)提供最佳解決方案?！?/span>
據了解，三星近期開(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。
外媒Tom′s Hardware認為，三星雖然聲稱(chēng)最新HBM產(chǎn)品可與多種處理器正常工作，但沒(méi)明確說(shuō)明能否與英偉達相關(guān)處理器配合正常工作，以及此前未能通過(guò)英偉達某方面認證的原因是什么。
目前英偉達有多種GPU采用HBM3E內存，包括H200及B200、B100和GB200，雖然都需要HBM3E內存堆疊，但對功耗和散熱要求不同。因此，Tom′s Hardware猜測，三星HBM3E內存可滿(mǎn)足英偉達H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X的要求，但可能無(wú)法滿(mǎn)足Nvidia GB200要求。
編輯：芯智訊-林子
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