臺積電Q1營(yíng)收增長(cháng)13%！魏哲家：希望客戶(hù)分擔海外建廠(chǎng)增量成本！

4月18日，晶圓代工龍頭臺積電正式公布了2024年第一季度財務(wù)報告，該季合并營(yíng)收約新臺幣5,926.4億元，同比增長(cháng)12.9%，環(huán)比下滑3.8%。稅后凈利潤約新臺幣2,254.9億元，同比增長(cháng)8.9%，每股收益為新臺幣8.7元（折合美國存托憑證每單位為1.38美元）。一季度毛利率為53.1%，營(yíng)業(yè)利益率為42%，稅后純益率則為38%。

3nm制程占比9%

從各制程工藝晶圓貢獻的營(yíng)收占比來(lái)看，3nm制程占比9%，5nm制程占比37%，7nm制程占比19%?？傮w來(lái)看，整個(gè)先進(jìn)制程（包含7nm及更先進(jìn)制程）的營(yíng)收占比達65%。

從各終端應用來(lái)源貢獻的營(yíng)收占比來(lái)看，智能手機占比38%，金額較上一季減少16%；高性能計算占比46%，金額較上一季增加3%；物聯(lián)網(wǎng)占比6%，金額較上一季增加5%；車(chē)用電子占比6%，金額較上一季持平；消費類(lèi)電子占比2%，金額較上一季增加33%。

臺積電今年一季度庫存周轉天數90天，預先建立了3nm產(chǎn)能庫存。臺積電今年一季度資本支出為57.7億美元。

2nm制程進(jìn)展順利

對于即將在2025年量產(chǎn)的2nm，臺積電表示，2nm家族的N2制程技術(shù)在解決對節能運算永無(wú)止境的需求方面皆領(lǐng)先業(yè)界，而幾乎所有的AI創(chuàng )新者都正在與臺積電合作。因此，觀(guān)察到客戶(hù)對N2制程技術(shù)的高度興趣和參與，并預期整體2nm制程技術(shù)在頭兩年的產(chǎn)品設計定案（tape outs）數量將高于3nm和5nm制程技術(shù)的同期表現。

臺積電強調，2nm技術(shù)將采用納米片（Nanosheet）晶體管結構，在密度和能源效率上都會(huì )是業(yè)界最先進(jìn)的半導體技術(shù)。而當前N2制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，裝置性能和良率皆按照計劃甚或優(yōu)于預期。因此，N2制程技術(shù)將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn)，其量產(chǎn)曲線(xiàn)預計與N3相似。隨著(zhù)持續強化的策略，N2制程技術(shù)及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴大臺積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，并讓公司得以在未來(lái)很好地掌握AI相關(guān)的成長(cháng)機會(huì )。

二季度營(yíng)收將環(huán)比增長(cháng)4%~8%

對于二季度的業(yè)績(jì)指引，臺積電財務(wù)長(cháng)黃仁昭表示，3nm及5nm制程需求依然強勁，將可抵消智能手機市場(chǎng)淡季影響，預期第二季營(yíng)收約196億美元至204億美元，較第一季增加4%~8%，毛利率落在51%到53%，營(yíng)業(yè)利潤率為40%到42%。以1美元兌換新臺幣32.3元的匯率基礎計算，即新臺幣營(yíng)收為6,330.8億元到6,589.2億元，較第一季增加6.8%~11.2%，有機會(huì )再創(chuàng )歷史新高。

花蓮大地震將影響二季度毛利率0.5%

臺積電還強調，今年4月3日臺灣花蓮的大地震后10小時(shí)內，臺積電晶圓廠(chǎng)設備復原率超過(guò)70%，3天內設備已大致復原，極紫外光（EUV）設備皆未受損，估計地震將影響第二季毛利率下滑0.5個(gè)百分點(diǎn)，其他利潤通貨膨脹與調漲電價(jià)將影響第二季毛利率0.7~0.8個(gè)百分點(diǎn)，因此整體變動(dòng)因素將影響第二季毛利率約1.3個(gè)百分點(diǎn)。

下修2024年車(chē)用半導體及全球晶圓代工市場(chǎng)增長(cháng)預期

在本次法說(shuō)會(huì )上，臺積電CEO魏哲家下修了對于2024年車(chē)用半導體及全球晶圓代工市場(chǎng)的看法。

魏哲家說(shuō)，上季原本預估全年車(chē)用半導體市場(chǎng)有望成長(cháng)，但現在轉為預估衰退。另外對于上一季法說(shuō)會(huì )上給出的2024年全球晶圓代工市場(chǎng)將增長(cháng)20%的預測，下修為全年增長(cháng)10%。不過(guò)，對于臺積電2024年的營(yíng)收增長(cháng)目標仍維持在同比增長(cháng)約21%至26%不變。

全年資本支出目標280-320億美元

臺積電重申公司在2024年的資本預算預計將介于280億至320億美元之間，借持續投資以支持客戶(hù)的成長(cháng)。其中約70-80%將用于先進(jìn)制程技術(shù)，約10-20%將用于特殊制程技術(shù)。另外，約10%將用于先進(jìn)封裝、測試、光罩制作及其他項目。

海外晶圓廠(chǎng)進(jìn)展順利，客戶(hù)將分擔增量成本

鑒于強勁的HPC和AI相關(guān)需求，臺積電也持續拓展全球制造足跡，以繼續支持全球客戶(hù)的多供應來(lái)源策略。

目前，臺積電正在美國、日本建設晶圓廠(chǎng)，德國晶圓廠(chǎng)目前還在前期準備階段。

其中，在美國亞利桑那州的晶圓廠(chǎng)方面，臺積電在獲得了美國的巨額補貼，以及美國客戶(hù)的堅定承諾和支持之后，計劃在原本建設兩座晶圓廠(chǎng)計劃的基礎上再建一座晶圓廠(chǎng)，將整體的投資規模提升至650億美元。臺積電預計，在亞利桑那州每一座晶圓廠(chǎng)的潔凈室面積都約是業(yè)界一般邏輯晶圓廠(chǎng)的兩倍大。

目前臺積電在美國亞利桑那州的首座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)在今年4月進(jìn)入采用N4制程技術(shù)的工程晶圓生產(chǎn)（engineering wafer production），按照計劃在2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。另外，繼先前宣布的3nm技術(shù)，第二座晶圓廠(chǎng)已經(jīng)升級加入采用2nm技術(shù)，以支持強勁的AI相關(guān)需求。最近臺積電也完成了第二座晶圓廠(chǎng)上梁，即將最后一支結構鋼梁已放置到位，并預計于2028年開(kāi)始生產(chǎn)。

至于在亞利桑那州建造第三座晶圓廠(chǎng)的部分，預計采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預計在2030年前進(jìn)行量產(chǎn)。臺積電強調，相信一旦晶圓廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)，臺積電將能夠在亞利桑那州的每一座晶圓廠(chǎng)提供與臺灣晶圓廠(chǎng)相同水準的制造質(zhì)量和可靠度。

在日本晶圓廠(chǎng)方面，臺積電于2月在熊本為第一座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)舉行了啟用典禮，該晶圓廠(chǎng)將采用12/16nm和22/28nnm制程技術(shù)，并將如期在2024年第四季進(jìn)入量產(chǎn)。此前，臺積電也與合資伙伴一起宣布計劃在日本設立第二座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)，將采用40nm、12/16nm和6/7nm等制程技術(shù)，以支持消費性、汽車(chē)、工業(yè)和HPC相關(guān)應用的策略性客戶(hù)。第二座晶圓廠(chǎng)計劃于2024年下半年開(kāi)始興建，并預計于2027年底開(kāi)始生產(chǎn)。

但是德國、日本、美國建廠(chǎng)成本高于臺灣建廠(chǎng)成本，臺積電過(guò)去曾多次抱怨。由于設備安裝和與工會(huì )談判方面的問(wèn)題，該公司甚至不得不推遲位于美國亞利桑那州鳳凰城附近的 Fab 21 工廠(chǎng)的生產(chǎn)啟動(dòng)。

對于臺積電海外設廠(chǎng)所面臨的成本問(wèn)題，魏哲家表示，“如果我的客戶(hù)要求進(jìn)入某個(gè)特定領(lǐng)域，那么臺積電和客戶(hù)肯定必須分擔增量成本?！?/span>

“我們在海外確實(shí)遇到了一些更高的成本，甚至最近，通貨膨脹和電力。我們希望客戶(hù)與我們分擔一些更高的成本，我們已經(jīng)開(kāi)始與客戶(hù)討論?！蔽赫芗疫M(jìn)一步解釋道。

顯然，如果臺積電的客戶(hù)們希望在特定地點(diǎn)生產(chǎn)芯片，那么臺積電就會(huì )收取溢價(jià)。具體溢價(jià)有多高還有待觀(guān)察，但去年有媒體報道稱(chēng)，在利用臺積電 N5 和 N4 制程在亞利桑那州制造的芯片，可能比在中國臺灣生產(chǎn)的相同芯片貴 20% 至 30%。

編輯：芯智訊-浪客劍