臺灣大地震對晶圓代工及DRAM產(chǎn)能均無(wú)嚴重影響

4月5日消息，針對3日早晨中國臺灣花蓮縣海域發(fā)生的7.3級地震，最新的消息顯示，本次臺灣403大地震大多晶圓代工廠(chǎng)都位屬在震度四級的區域，加上臺灣的半導體工廠(chǎng)多以高規格興建，內部的減震措施都是世界頂尖水準，多半可以減震1至2級，這也使得此次地震對于臺灣半導體供應鏈的影響相對較小。

根據市場(chǎng)研究機構TrendForce的調研顯示，從本次地震對于半導體廠(chǎng)商造成的影響來(lái)看，幾乎都是停機檢查后，迅速進(jìn)行復工，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導致在線(xiàn)晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠(chǎng)區產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復工后迅速將產(chǎn)能補齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。

根據臺積電昨晚針對地震發(fā)出新聞稿指出，在強震發(fā)生后的10小時(shí)內，晶圓廠(chǎng)設備復原率已超過(guò)70%，新建的晶圓廠(chǎng)（如負責生產(chǎn)3、5nm的晶圓18廠(chǎng)）的復原率更已超過(guò)80%。雖然，部分廠(chǎng)區的少數設備受損并影響部分產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)，主要機臺包含所有極紫外（EUV）曝光設備皆無(wú)受損。

不過(guò)臺積電也強調，該公司已有資源到位以加速達到全面復原，且已在持續復工中，臺積電也會(huì )與客戶(hù)保持密切溝通。將繼續密切監控并適時(shí)與客戶(hù)直接溝通相關(guān)影響。

在DRAM方面，以位于新北的南亞科技（Nanya）Fab3A，以及美光（Micron）林口廠(chǎng)受地震影響相對較大，南亞科技該廠(chǎng)區主責20/30nm制程的產(chǎn)品，最新制程1Bnm正在開(kāi)發(fā)中；美光林口廠(chǎng)與臺中廠(chǎng)為DRAM重要生產(chǎn)基地，內部系統已將二個(gè)廠(chǎng)區合而為一，目前已有最新1beta nm制程的投片，后續也將有HBM在臺灣生產(chǎn)仍需數日時(shí)間完全恢復運作，其余廠(chǎng)區多半在停機檢查后陸續復工。力積電（PSMC）、華邦電子（Winbond）等均無(wú)恙。

晶圓代工方面，臺積電包含Fab2/3/5/8等多座6英寸及8八英寸廠(chǎng)、研發(fā)總部Fab12，以及最新的Fab20寶山工廠(chǎng)均位在震度4級的新竹。其中僅Fab12因水管破裂造成部分機臺進(jìn)水，主要影響在尚未量產(chǎn)的2nm制程，因此評價(jià)短期營(yíng)運不受影響，但可能因機臺受潮需要新購機臺，造成資本支出小幅度增加。其余廠(chǎng)區在停機檢查后已陸續復工，暫無(wú)重大災損，而其余廠(chǎng)區個(gè)別有人員疏散或執行停機檢查，現均已陸續恢復運作。

目前產(chǎn)能利用率較高的臺積電5/4/3nm先進(jìn)制程廠(chǎng)區，未進(jìn)行人員疏散，停機檢查已在震后6~8小時(shí)恢復90%以上運作，影響仍在可控范圍。CoWoS廠(chǎng)區方面，目前主要運作廠(chǎng)區龍潭AP3及竹南AP6，事發(fā)當下立即進(jìn)行人員疏散，停機檢查后發(fā)現廠(chǎng)務(wù)冰水主機有水損問(wèn)題，但廠(chǎng)務(wù)系統多有備援設施，評價(jià)不影響運作，已陸續復工。

此外，聯(lián)電（UMC）一座6英寸廠(chǎng)及六座8英寸廠(chǎng)均位在新竹，另有一座12英寸廠(chǎng)位在臺南，以90~22nm量產(chǎn)為主；力積電包含12英寸DRAM與8英寸、12英寸Foundry皆位在新竹苗栗一帶，其中DRAM以25/21nm制程利基型產(chǎn)品為主；世界先進(jìn)（Vanguard）共三座8英寸廠(chǎng)位于新竹，一座8英寸廠(chǎng)位于桃園。上述廠(chǎng)區多半在人員疏散、短暫停機檢查后陸續恢復運作。

編輯：芯智訊-林子 來(lái)源：TrendForce