臺積電3nm晶體管密度竟然高于Intel 18A！

3月13日消息，據外媒報導，在最近2024 SEMI International Strategy Symposium會(huì )議上，半導體研究機構TechInsights分享了臺積電、英特爾、三星的尖端制程比較，顯示臺積電的3nm性能可能要優(yōu)于英特爾Intel 18A。

英特爾計劃在今年下半年量產(chǎn)Intel 18A，并于明年推出相關(guān)產(chǎn)品，但是并沒(méi)有公布Intel 18A的能耗數據。根據TechInsights公布的數據來(lái)看，臺積電3nm（N3）制程或強化版N3E的晶體管密度分別為283MTx/mm2（每平方毫米百萬(wàn)晶體管）、273MTx/mm2 ，都高于英特爾Intel 18A的195MTx/mm2。不過(guò)，英特爾Intel 18A采用背面供電（Backside power）技術(shù)，對降低能耗有一定幫助，但Intel 18A大幅超越臺積電3nm性能還是不太可能。

除了英特爾，三星先跨入GAA構架Nanosheet制程，力圖彎道超車(chē)臺積電。比較晶體管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后臺積電；臺積電晶體管密度也約是三星1.5倍以上；先進(jìn)制程客戶(hù)數量方面，臺積電也遠遠超過(guò)三星。

臺積電法說(shuō)會(huì )說(shuō)，2nm將于2025下半年量產(chǎn)，3nm家族也持續擴大強化版。N3E于2023年第四季量產(chǎn)后，之后還有N3P和N3X，近期A(yíng)I需求激增，也支持節能運算需求加速成長(cháng)，又使3奈米家族營(yíng)收占比提高。

日前IFS Direct Connect英特爾分享「四年五節點(diǎn)」最后節點(diǎn)Intel 18A制程后計劃，公布新制程，新增Intel 14A-E和數個(gè)專(zhuān)業(yè)節點(diǎn)強化版。照英特爾計劃，Intel 14A最快2026年量產(chǎn)，Intel 14A-E要到2027年。但英特爾還未宣布Intel 14A和Intel 14A-E產(chǎn)品。

三星2022年6月底為全球首家量產(chǎn)采用全柵極（GAA）構架3nm的廠(chǎng)商，2024年量產(chǎn)第二代3nm，2025年量產(chǎn)2nm。最近三星通知客戶(hù)和合作伙伴，第二代3nm更名為2nm，韓國業(yè)界人士表示接到三星通知，2023年與三星代工廠(chǎng)簽訂第二代3nm協(xié)議，也會(huì )改名為2nm，近期會(huì )重新擬約。

編輯：芯智訊-浪客劍