獲“無(wú)限期豁免”后，三星西安工廠(chǎng)將升級236層NAND技術(shù)！

10月22日消息，據外媒體報道，存儲芯片大廠(chǎng)三星在獲得美國政府對其在中國的工廠(chǎng)的“無(wú)限期豁免”之后，使得三星在中國的工廠(chǎng)將無(wú)需特別許可申請，就可進(jìn)口美國芯片設備來(lái)進(jìn)行升級或擴產(chǎn)的動(dòng)作。

報道稱(chēng)，在取得豁免后，三星高層已決定將其為在中國西安NAND Flash閃存工廠(chǎng)升級到236層堆疊的技術(shù)，并準備開(kāi)始大規模擴產(chǎn)動(dòng)作。

△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片

報道引用消息人士的說(shuō)法指出，三星已開(kāi)始預定和購買(mǎi)最新的半導體設備以用于接下來(lái)的制程轉換動(dòng)作。預計，新設備將在2023年底交貨，并在2024年于西安工廠(chǎng)陸續引進(jìn)可生產(chǎn)三星第8代V-NAND的技術(shù)，堆疊層數將達到236層，相比其第7代V-NAND的176層數增長(cháng)了34%。這也被業(yè)界視為在當前全球NAND Flash閃存需求疲軟，導致產(chǎn)能下降的應對計劃。

根據公開(kāi)數據顯示，三星中國半導體有限公司在2012年正是落腳中國西安高新區。其中，三星半導體西安工廠(chǎng)，是該公司唯一的海外內存半導體生產(chǎn)基地，于2014年開(kāi)始運營(yíng)，并在2020年增建第二座工廠(chǎng)后，主要以生產(chǎn)128層堆疊NAND Flash閃存為主，月產(chǎn)能達20萬(wàn)片12寸晶圓，占三星NAND Flash產(chǎn)總量的40%以上。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠(chǎng)。其中，西安工廠(chǎng)是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。三星中國西安工廠(chǎng)的第一期工程投資108.7億美元，而在2017年開(kāi)始，三星開(kāi)始展開(kāi)第二期工程，兩期工程先后共投資了150億美元。目前，三星西安工廠(chǎng)月產(chǎn)能將達到26.5萬(wàn)張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導體西安工廠(chǎng)產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

編輯：芯智訊-林子