傳臺積電7nm以下制程明年將漲價(jià)6%！多家大客戶(hù)已同意？

10月21日消息，據DigiTimes報導，臺積電7nm以下先進(jìn)制程晶圓代工報價(jià)明年將將再漲3~6%，16nm以上則保持不變。

報道稱(chēng)，臺積電已將漲價(jià)計劃通知客戶(hù)。有半導體業(yè)者透露，英偉達、聯(lián)發(fā)科、AMD等大廠(chǎng)已愿意接受漲價(jià)。

根據臺積電最新公布的第三季財報顯示，臺積電3nm制程的營(yíng)收在總營(yíng)收當中的占比已達6%，這主要得益于搭載A17 Pro處理器的iPhone 15 Pro系列的出貨；5nm制程占比37%，相比二季度增長(cháng)了7個(gè)百分點(diǎn)；7nm制程占比16%，相比二季度減少了7個(gè)百分點(diǎn)。7nm及更先進(jìn)的制程營(yíng)收的占比為59%，相比二季度減少了6個(gè)百分點(diǎn)。

由于目前臺積電3nm制程僅蘋(píng)果一家大客戶(hù)，這也導致臺積電3nm營(yíng)收占比增長(cháng)有限。不過(guò)，隨著(zhù)后續高通、聯(lián)發(fā)科旗艦芯片的相繼投片，臺積電先進(jìn)制程營(yíng)收占比將有望進(jìn)一步上升。

另外，在日前的三季度法說(shuō)會(huì )上，臺積電還表示，其2nm制程有望在2025年量產(chǎn)，具體將會(huì )在新竹寶山與高雄2座晶圓廠(chǎng)同步進(jìn)行。外界預估，臺積電2nm晶圓代工的價(jià)格將進(jìn)一步上升至2.5萬(wàn)美元。

據了解，臺積電的2nm制程工藝將放棄傳統的FinFET晶體管工藝，轉向GAA全環(huán)繞柵極晶體管架構（臺積電的版本命名為Nanosheet），相較于N3E工藝同功耗下性能提升10-15%，同性能下功耗下降25-30%，但晶體管密度提升僅10-20%。

另外，作為2nm制程技術(shù)平臺的一部分，臺積電也在研發(fā)背面供電（backside power rail）解決方案，該設計最適于高性能計算相關(guān)應用。而根據臺積電的規劃，目標是在2025年下半年推出背面供電技術(shù)供客戶(hù)采用，并于2026年量產(chǎn)。隨著(zhù)臺積電持續強化的策略，2nm及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴大臺積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

至于價(jià)格方面，2nm制程的晶圓代工報價(jià)可能將會(huì )由3nm的2萬(wàn)美元/片，進(jìn)一步上漲至2.5萬(wàn)美元/片。

編輯：芯智訊-林子