三星證實(shí)明年將生產(chǎn)300層以上的NAND Flash

10月19日消息，據外媒Tomshardware報道，韓國存儲芯片大廠(chǎng)三星公布了V-NAND（即3D NAND）發(fā)展計劃，證實(shí)將在2024年生產(chǎn)超過(guò)300層的第九代V-NAND芯片。

三星總裁暨內存事業(yè)部負責人Jung-bae Lee在一篇博客文章中寫(xiě)道，“第九代V-NAND基于雙堆棧結構，層數將達到業(yè)界最高水準，將于明年初量產(chǎn)。

三星在2022年底就已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用第8代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達到了236層，相比于2020年首次引入雙堆棧架構的第7代V-NAND技術(shù)的176層有了大幅度的提高。其所采用的雙堆棧架構，即在300mm晶圓上先生產(chǎn)一個(gè)3D NAND Flash堆棧，然后在原有基礎上再構建另一個(gè)堆棧。

三星的超300層堆疊的第9代V-NAND將會(huì )沿用上一代的雙deck架構，也就是說(shuō)，三星的超300層3D NAND Flash將通過(guò)將兩個(gè)150 層堆疊的deck堆疊在一起制成。盡管制造時(shí)間更長(cháng)，但堆疊兩個(gè) 150 層組件比構建單個(gè) 300 層產(chǎn)品更容易制造。

對于3D NAND來(lái)說(shuō)，隨著(zhù)堆疊層數的增加，將可持續提升存儲容量和密度。Jung-Bae Lee表示，“三星還在致力于下一代技術(shù)創(chuàng )造價(jià)值，包括最大限度提高 V-NAND 輸入/輸出 (I/O) 速度的新結構?！?/p>

就長(cháng)期技術(shù)創(chuàng )新而言，三星致力于最大限度地減少單元干擾、降低高度并最大化垂直層數，這將使其能夠實(shí)現業(yè)界最小的單元尺寸。這些創(chuàng )新將有助于推動(dòng)三星創(chuàng )建超過(guò) 1000 層的 3D NAND。消息顯示，未來(lái)的第10代V-NAND技術(shù)將可能達到 430層芯片。

值得一提的是，今年8月初，SK海力士就公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，并表示其將成為業(yè)界第一家完成300層以上堆疊NAND Flash閃存開(kāi)發(fā)的公司。

據介紹，SK海力士321層堆疊的1Tb TLC 4D NAND Flash，相比上一代238層堆疊的512Gb 4D NAND Flash的單位容量提升了41%，延遲降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生產(chǎn)效率也提升了59%。而其生產(chǎn)效率之所以能夠大幅提升59%的原因在于，數據儲存單元可以用更多的單片數量堆疊到更高，這使得在相同大小面積的芯片上達到更大儲存容量，也進(jìn)一步增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數量。

編輯：芯智訊-浪客劍