臺積電：我們的3納米優(yōu)于intel18A

事實(shí)上，積極與臺積電競爭先進(jìn)制程的英特爾，其CEO Pat Gelsinger 在推動(dòng)重返晶圓代工服務(wù)上，準備以4 年發(fā)展5 個(gè)節點(diǎn)制程的計劃，也就是分別完成intel7 及intel4 制程之后，預計將在2023 年底前進(jìn)入intel3 制程，2024 年上半年推進(jìn)Intel 20A 制程，以及在2024 年下半年推進(jìn)Intel 18A 制程。如此計劃，將使得英特爾的先進(jìn)制程技術(shù)能在2025 年重返晶圓代工的技術(shù)龍頭。

對此，魏哲家表示，臺積電N3 制程技術(shù)，在包括PPA 晶體管技術(shù)上，已經(jīng)都是業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。而且，N3 制程技術(shù)在有優(yōu)秀的良率下，根據已公布的第三季財報顯示，3 納米制程出貨占臺積電2023 年第三季晶圓銷(xiāo)售金額6%。預計接下來(lái)在高效能運算、智能手機相關(guān)領(lǐng)域的支持下將會(huì )有強勁需求。整體來(lái)說(shuō)，2023 年3 納米將貢獻全年晶圓營(yíng)收的中個(gè)位數（mid-single digit，即4%-6%）百分比。

魏哲家還強調，臺積電N3 制程技術(shù)家族中，將陸續推出N3E、N3P、N3X 等改良型制程。其中N3E 為3 納米家族的延伸，具備強化的效能、功耗和良率，將為高效能運算和智能手機相關(guān)應用提供完整的支持平臺。目前N3E 已通過(guò)驗證并達成效能與良率目標，預計在2023 年第四季量產(chǎn)。除此之外，臺積電也將進(jìn)一步持續強化N3 制程技術(shù)，包括N3P 和N3X 等制程。

魏哲家還進(jìn)一步指出，觀(guān)察到N2 制程技術(shù)在高效能運算和智能手機相關(guān)應用方面所引起的客戶(hù)興趣和參與，與N3 制程技術(shù)在同一階段時(shí)不相上下，甚至更高。臺積電的2 納米制程技術(shù)在2025 年推出時(shí)，在密度和能源效率上都將會(huì )是業(yè)界最先進(jìn)的半導體技術(shù)。而N2 制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，也將如期在2025 年進(jìn)入量產(chǎn)。

臺積電的N2 制程技術(shù)將采用納米片(Nanosheet) 晶體管結構，其納米片技術(shù)展現了絕佳的能源效率，這使得N2 制程技術(shù)將效能及功耗效率提升一個(gè)世代，以滿(mǎn)足日益增加的節能運算需求。做為N2 制程技術(shù)平臺的一部分，臺積電亦在N2 發(fā)展出背面電軌(backside power rail) 解決方案，此一設計最適于高效能運算相關(guān)應用。而根據臺積電的規劃，目標是在2025 年下半年推出背面電軌供客戶(hù)采用，并于2026 年量產(chǎn)。隨著(zhù)臺積電持續強化的策略，N2 及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴大臺積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

來(lái)源：淄博日報

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