傳三星大砍平澤三廠(chǎng)達產(chǎn)規模，四季度NAND價(jià)格將上調10%

據中國臺灣電子時(shí)報報道稱(chēng)，三星電子將下調韓國平澤三廠(chǎng)(P3)的 投資規模，并大砍DRAM、NAND Flash達產(chǎn)規模，其中NAND Flash產(chǎn)能增設規?；蚪抵猎ㄈ种凰疁?，加上隨著(zhù)三星持續轉換先進(jìn)制程，設備更換期間帶來(lái)的自然減產(chǎn)效果預計也將擴大。

自去年以來(lái)，受俄烏沖突、全球通貨膨脹、經(jīng)濟趨勢下滑等諸多因素影響，智能手機、PC等電子產(chǎn)品的需求持續下滑，使得對于存儲芯片的需求也出現了持續下跌，存儲芯片價(jià)格持續大跌，存儲芯片廠(chǎng)商的業(yè)績(jì)紛紛變臉。對此，從去年下半年以來(lái)，就有存儲芯片廠(chǎng)商開(kāi)始陸續減產(chǎn)，希望能夠通過(guò)減少供應來(lái)改善市場(chǎng)的供需結構，推動(dòng)存儲芯片價(jià)格的止跌回升。

作為全球最大的存儲芯片供應商，在今年一季度慘淡的業(yè)績(jì)公布之后，三星也一改之前堅決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對存儲芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子在一份聲明中稱(chēng)，“在評估公司已經(jīng)獲得了足夠的產(chǎn)量以應對未來(lái)存儲芯片需求變化的情況下，公司正在調整，以確保額外供應的產(chǎn)品為核心，將存儲芯片產(chǎn)量降低到有意義的水平，并優(yōu)化已經(jīng)在進(jìn)行的生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)。但是三星并未公布具體的減產(chǎn)規模。

隨后在二季度的財報會(huì )議上表示，為了加速存儲芯片市場(chǎng)的回暖，三星宣布延長(cháng)減產(chǎn)計劃，并調整包括NAND Flash在內的特定產(chǎn)品產(chǎn)出。

與此同時(shí)，另一家存儲芯片大廠(chǎng)SK海力士也在二季度財報會(huì )議上表示，在 NAND Flash 的庫存去化速度相比DRAM更慢，因此決定擴大對于NAND Flash的減產(chǎn)幅度。美光也在二季度財報會(huì )議上表示，美光正專(zhuān)注于庫存管理和控制供應，近期DRAM和NAND晶圓將進(jìn)一步減少近30%，預計減產(chǎn)將持續到2024年。

針對存儲芯片市場(chǎng)目前表現，包括市場(chǎng)調查研究機構及外資的研究報告都表示，當前供應商的減產(chǎn)狀況將持續，使得價(jià)格有逐漸恢復的趨勢。不過(guò)，整體市場(chǎng)供需與價(jià)格要回復到健康的水準，預計整體還需要一段時(shí)間的努力。

另?yè)n國媒體BusinessKorea報道，三星電子為了提振NAND Flash芯片市場(chǎng)行情，打算在第四季將NAND Flash芯片價(jià)格調漲10%以上，且最快自10月開(kāi)始漲價(jià)。業(yè)界人士認為，第四季DRAM及NAND合約價(jià)可望看漲10%～15%。

據市場(chǎng)調查及研究機構TrendForce最新的預測顯示，預計2024年存儲芯片原廠(chǎng)對于 DRAM 與 NAND Flash 的減產(chǎn)策略仍將延續。尤其，以虧損嚴重的 NAND Flash 更為明確。預估在 2024 年上半年消費性電子市場(chǎng)需求能見(jiàn)度仍不明朗，加上通用型服務(wù)器的資本支出仍受到 AI 服務(wù)器排擠而顯得相對需求疲弱下，鑒于 2023 年基期已低，加上部分存儲產(chǎn)品價(jià)格已來(lái)到相對低點(diǎn)，預估 DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長(cháng)率分別有 13% 及 16%。

編輯：芯智訊-浪客劍