繼三星漲價(jià)之后，傳美光也將對NAND Flash晶圓合約漲價(jià)10%

9月5日，天風(fēng)國際分析師郭明錤發(fā)文稱(chēng)，繼三星在8月份漲價(jià)后，美光也將自9月開(kāi)始調漲NAND Flash晶圓合約價(jià)約10%，這將有助于改善美光下半年獲利。

郭明錤分析稱(chēng)，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24開(kāi)始受益于三個(gè)趨勢，包括英特爾新平臺Meteor Lake加速DDR5滲透率增長(cháng)、AI服務(wù)器強勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠(chǎng)在設備上推廣LLM有利于DDR/LPDDR規格升級。

今年8月初，業(yè)內就傳出消息稱(chēng)，三星已通知客戶(hù)，打算將512Gb NAND Flash晶圓的報價(jià)提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的價(jià)格上漲了約15%，這一變化最早可能在8月中旬反映在現貨市場(chǎng)價(jià)格中。隨后在8月17日，Digitime爆料稱(chēng)，國內的NAND Flash模組廠(chǎng)近日已暫停報價(jià)及接單，將配合原廠(chǎng)（三星）報價(jià)調高8~10%。此舉將有望拉動(dòng)NAND Flash價(jià)格逐步回升到制造成本線(xiàn)。

9月3日，市場(chǎng)研究機構TrendForce發(fā)布報告指出，近期NAND Flash現貨市場(chǎng)顆粒報價(jià)受到晶圓合約價(jià)成功拉漲消息帶動(dòng)，部分品項出現較積極詢(xún)價(jià)需求。近日，日系外資也發(fā)布報告稱(chēng)，DRAM 受 AI服務(wù)器需求帶動(dòng)，庫存水平下滑而價(jià)格上漲，NAND Flash價(jià)格已經(jīng)低于供應商現金成本，未來(lái)價(jià)格下降幅度有限，預計 7-9 月維持穩定，10-12 月份開(kāi)始回升。

而存儲芯片市場(chǎng)的企穩，主要是得益于鎧俠、美光、SK海力士、三星等頭部存儲廠(chǎng)商的積極減產(chǎn)。有業(yè)內人士爆料稱(chēng)，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標年底NAND Flash庫存正?；?-8周水平）。今年年初，三星NAND Flash庫存周轉天數超過(guò)20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至了18周。TrendForce的報告顯示，三星最初的減產(chǎn)幅度為25%，第四季減產(chǎn)可能擴大到35%。隨著(zhù)這些頭部廠(chǎng)商的持續擴大減產(chǎn)，這也自然將加速存儲市場(chǎng)的觸底反彈。

至于模組廠(chǎng)，由于NAND Flash晶圓漲價(jià)已帶來(lái)成本提升壓力，模組廠(chǎng)近期紛紛釋出調漲終端產(chǎn)品的意向，主要體現在SSD產(chǎn)品方面，Kingston、Phison等模組廠(chǎng)近期亦回歸官方價(jià)格來(lái)進(jìn)行交易，不再開(kāi)放客戶(hù)另議以低價(jià)成交。

另外，據臺媒8月31日消息，近1個(gè)月來(lái)，NAND Flash現貨價(jià)格持續小幅調升，單月漲幅約達5%，逐漸靠攏合約價(jià)。不過(guò)也有機構提醒，由于相關(guān)采購訂單是基于供應端報價(jià)調漲而涌現，是否有實(shí)際終端訂單支撐仍待觀(guān)察。

日前，康佳集團旗下存儲企業(yè)——康盈半導體創(chuàng )始人兼CEO馮若昊在接受芯智訊采訪(fǎng)時(shí)也表示，關(guān)于近期NAND Flash漲價(jià)傳聞。馮總表示，上游原廠(chǎng)確實(shí)在漲價(jià)，漲幅大概在10%左右，但是對于模組廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，想配合，但是客戶(hù)端并不一定會(huì )接受，所以客戶(hù)都還是在觀(guān)望。但是隨意上游原廠(chǎng)持續減產(chǎn)，以及一些需求的緩慢恢復，四季度隨著(zhù)供應持續減少，客戶(hù)庫存消耗加速，會(huì )達到供需平衡或者供應偏緊張的情況，從而帶動(dòng)整體市場(chǎng)對于漲價(jià)的接受。

編輯：芯智訊-林子